Презентация на тему: Выпускная квалификационная работа на тему:

Выпускная квалификационная работа на тему:
Принцип создания инверсии зонных состояний в полупроводнике
Принцип действия полупроводникового лазера с p-n - переходом
Спектральная характеристика полупроводникового лазера
Диаграмма направленности излучения полупроводникового лазера
Излучательная характеристика полупроводникового лазера
Заключение
1/7
Средняя оценка: 4.2/5 (всего оценок: 9)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (217 Кб)
1

Первый слайд презентации: Выпускная квалификационная работа на тему:

«Исследование характеристик и параметров инфракрасного полупроводникового лазера» Выполнил: Гареев Ринат Расимович Руководитель выпускной квалификационной работы: Доцент, кандидат физико-математических наук Шакиров Барый Галимьянович Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Башкирский государственный университет Физико-технический институт

Изображение слайда
2

Слайд 2: Принцип создания инверсии зонных состояний в полупроводнике

1

Изображение слайда
3

Слайд 3: Принцип действия полупроводникового лазера с p-n - переходом

а-нулевое смещение ; б-смещение в прямом направлении 2

Изображение слайда
4

Слайд 4: Спектральная характеристика полупроводникового лазера

Блок-схема макета для снятия спектральной характеристики диодного лазера. 3

Изображение слайда
5

Слайд 5: Диаграмма направленности излучения полупроводникового лазера

Экспериментальный стенд для изучения диаграммы направленности излучения полупроводникового лазера. Углы расходимости  1 ≈6 0 и  1 ≈30 0 4

Изображение слайда
6

Слайд 6: Излучательная характеристика полупроводникового лазера

Блок-схема для снятия излучательной характеристики полупроводникового лазера. 5

Изображение слайда
7

Последний слайд презентации: Выпускная квалификационная работа на тему:: Заключение

1. Выполнен обзор литературы; 2. Собраны стенды для экспериментальных измерений; 3. Проведены измерения и построены спектральная и излучательная характеристики. 4. Определены параметры ИК полупроводникового лазера : λ max =852 нм, ∆λ ≈10 нм,  1 ≈ 6 0 и  1 ≈ 30 0 ; 5. Размеры активной области: R 1 ≈ 5 мкм и R 2 ≈ 1мкм 6

Изображение слайда