Презентация: Туннельная микроскопия и ее приложения

Туннельная микроскопия и ее приложения Туннельный эффект Герд Бинниг и Генрих Рорер - нобелевские лауреаты 1986 Устройство СТМ Устройство СТМ Принцип работы СТМ Принцип работы СТМ Применение СТМ. Топография поверхности Применение СТМ. Манипуляция атомами Применение СТМ. Манипуляция атомами Применение СТМ. Квантовые загоны и квантовые миражи Преимущества и недостатки Спасибо за внимание!
1/13
Средняя оценка: 4.5/5 (всего оценок: 30)
Скачать (6437 Кб)
Код скопирован в буфер обмена
1

Первый слайд презентации: Туннельная микроскопия и ее приложения

Выполнили: Арасланова Валерия Кобыленко Дарья

2

Слайд 2: Туннельный эффект

Туннельный эффект - прохождение частицы сквозь потенциальный барьер, когда ее энергия E меньше высоты барьера U 0. Туннельный эффект можно объяснить соотношением неопределённостей : ΔxΔp≥ħ

3

Слайд 3: Герд Бинниг и Генрих Рорер - нобелевские лауреаты 1986

4

Слайд 4: Устройство СТМ

5

Слайд 5: Устройство СТМ

6

Слайд 6: Принцип работы СТМ

7

Слайд 7: Принцип работы СТМ

I t = e -kd, где I t - туннельный ток; d - расстояние между поверхностью образца и зондом; k = 1.1Ă -1

8

Слайд 8: Применение СТМ. Топография поверхности

Графен Ag(111) Графен на Ru(0001) Рубрен на Au (111)

9

Слайд 9: Применение СТМ. Манипуляция атомами

Основные атомные манипуляции: Осаждение атома с иглы СТМ на поверхность (рис. а) Удаление атома с поверхности (рис. б ) Перемещение атома по поверхности (рис. в )

10

Слайд 10: Применение СТМ. Манипуляция атомами

Надпись “IBM”, выполненная атомами ксенона.

11

Слайд 11: Применение СТМ. Квантовые загоны и квантовые миражи

Набор последовательных СТМ-изображений, иллюстрирующих процесс формирования «квантового загона» из 48 атомов Fe, адсорбированных на поверхности Cu(111).

12

Слайд 12: Преимущества и недостатки

Разрешение СТМ в таких измерениях – около Ангстрема (0,1 нм) в плоскости и 0,01 нм в глубину; Атомные манипуляции, и получение изображений поверхности с атомным разрешением производится с помощью одного и того же прибора; Образец и зонд должны быть проводниками или полупроводниками.

13

Последний слайд презентации: Спасибо за внимание!

Похожие презентации

Ничего не найдено