Презентация на тему: Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля

Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля
1/15
Средняя оценка: 4.2/5 (всего оценок: 55)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (471 Кб)
1

Первый слайд презентации: Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля

ВШВЭ, проф. Л. И. Сахно 2021 1

Изображение слайда
2

Слайд 2

Метод зеркальных изображений

Изображение слайда
3

Слайд 3

Используется для расчета поля заряженных проводников, расположенных вблизи плоских поверхностей, ограничивающих проводящую среду + q jy h  x U = const  +q – q U = const   h h jy x Сопоставляя левую и правую картины полей, можем утверждать, что из-за одинаковой геометрии и граничных условий картины поля в верхней полуплоскости идентичны, а, следовательно, все характеристики поля полностью совпадают.

Изображение слайда
4

Слайд 4

Отразим заряд +  1 от вертикальной стенки, вследствие чего появится второй заряд противоположного знака –  2, и оба эти заряда оказались расположенными над горизонтальной проводящей плоскостью. Отразим эти заряды в горизонтальной плоскости и получим еще два заряда (  2 1 и –  1 1 ). Полная система из четырех зарядов образует картину поля в диэлектрике, часть которой в первом квадранте совпадает с исходной картиной поля. +  1 -  2 -  1 1 +  2 1 Применение метода зеркальных изображений возможно и в случае, когда заряды находятся внутри диэлектрика между гранями двугранного угла «  », образованного проводящими поверхностями, если

Изображение слайда
5

Слайд 5

Метод конформных отображений

Изображение слайда
6

Слайд 6

Расчет поля методом конформных отображений основан на том, что существует возможность отобразить с помощью некоторого математического преобразования заданную область в комплексной плоскости « z » ( x + jy ) на так называемую каноническую область в комплексной плоскости « ω » ( ξ + j  ). Z jy 1 2 X Z K  ω ω k ω 1 2 j  ξ Преобразование называется конформным, так как при переходе от одной области к другой либо обратно сохраняются углы в точках пересечения между любыми линиями в обеих областях  z =  ω

Изображение слайда
7

Слайд 7

Существует общий подход к преобразованию произвольной многоугольной области, ограниченной ломаной линией на верхнюю полуплоскость и обратно с помощью интеграла Кристоффеля-Шварца 1. Двугранный угол (  ) – поле между двумя проводящими плоскостями, сходящимися под углом jy z U = 0  U = 0 B C A X j  ξ C B A

Изображение слайда
8

Слайд 8

Положение точки на первой грани (точка A ) : - в исходной области Z - в области ω Положение точки на второй грани (точка B) : - в исходной области Z - в области ω Положение любой точки на биссектрисе угла (точка C ): - в исходной области Z - в области ω

Изображение слайда
9

Слайд 9

2. Бесконечно глубокий проводящий паз шириной d jy j  A E F d B O C X D F A B O C D Z E

Изображение слайда
10

Слайд 10

Положение угловых точек B и C Положение точек A и D Положение точки E

Изображение слайда
11

Слайд 11

3. Плоскость с вертикальным выступом (стеной), высотой ( h ) A B h D jy X A O C O D B z C O

Изображение слайда
12

Слайд 12

Положение точки C Положение точки O Положение точек A и D Положение точки B ( y > h )

Изображение слайда
13

Слайд 13

Комплексный потенциал и плотность заряда (  ) на примере плоскости с выступом z 0 = x 0 + jy 0 +  Координата заряженного провода в плоскости Z - координата заряженного провода в плоскости +  Используем метод зеркальных изображений Координата зеркально расположенного заряда Комплексный потенциал в системе двух зарядов

Изображение слайда
14

Слайд 14

Выразим через Z для перехода к исходной области. Напряженность электрического поля в любой точке: После упрощения:  = D =  E - плотность заряда на поверхности проводников

Изображение слайда
15

Последний слайд презентации: Теоретические основы электротехники Теория электромагнитного поля

Графический метод построения картины плоскопараллельного поля. При графическом построении необходимо соблюдать одновременно три условия. 1. Ортогональность линий равного потенциала и линий напряженности во всех точках их пересечения 2. Линии напряженности должны подходить перпендикулярно к поверхности проводящих тел. 3. Ячейки ортогональной сетки, образованной линиями U = const и V = const должны быть подобны друг другу. +  –  U 2 U 1 V 1 V 2  a  n = k = const

Изображение слайда