Презентация на тему: Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать

Реклама. Продолжение ниже
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать
1/36
Средняя оценка: 4.6/5 (всего оценок: 96)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (9708 Кб)
Реклама. Продолжение ниже
1

Первый слайд презентации

Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать выражения и нарисовать графики зависимостей плотности состояний в зонах от энергии электронов. Функция распределения Ферми: написать выражение и нарисовать графики. Выразить концентрацию электронов в зоне проводимости через уровень Ферми (для невырожденного случая). Чему равно произведение концентрации электронов на концентрацию дырок (для невырожденного случая)? Выразить концентрацию электронов в зоне проводимости через уровень Ферми для вырожденного случая. Нарисовать график температурной зависимости концентрации электронов в донорном полупроводнике.

Изображение слайда
1/1
2

Слайд 2

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристалла Барьер для электронов на поверхности. Работа выхода. Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение заряда, поля и потенциала вблизи поверхности. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках 2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки) Энергетическая диаграмма Вольт-амперная характеристика 3. Электрон-дырочный (p-n) переход Энергетическая диаграмма Вольт-амперная характеристика Инжекция неосновных носителей заряда Емкость p-n перехода

Изображение слайда
1/1
3

Слайд 3

Шероховатая поверхность Среднеквадратичная шероховатость: Идеально гладкая сингулярная грань 4 Вицинальные террасированные поверхности a 0 – постоянная решетки;  – угол разориентации относительно сингулярной грани; b =a 0 · ct g  – ширина террас Атомно-гладкие террасы, разделённые прямолинейными моноатомными ступенями Вид сверху Атомно-гладкие поверхности

Изображение слайда
1/1
4

Слайд 4

T=575  C 2 часа T= 6 50  C 2 часа Изображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и после нагрева в равновесных условиях Исходная поверхность 3 мкм V.L. Alperovich, I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (200 9 ) Как приготовить поверхность с атомно-гладкими террасами, разделенными моноатомными ступенями? Нагреть до высокой температуры – позволить атомам диффундировать!

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/4
5

Слайд 5

Атомная структура поверхности GaAs(001) Структура GaAs(001) Вид сверху 1. Симметрия поверхности GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка, а на поверхности – только 2 порядка. 2. Соседние пары атомов на поверхности (001) взаимно насыщают «болтающиеся» орбитали и образуют димеры. 3. Образуются сложные реконструкции (m x n), где числа m и n – кратности увеличения периода поверхностной ячейки по отношению к объемной.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
6

Слайд 6

Реконструированная поверхность GaAs(001) - ( 2 x 4 ) / c( 2 x 8 ) димер Нереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001) Атомная структура поверхности GaAs(001)

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
7

Слайд 7

Атомные реконструкции поверхности GaAs(001) картины дифракции электронов (1x1) (2x4)/c(2x8) (4x2)/c(8x2) (3x6)/(2x6) (4x6) 420°С 480°С 550°С 58 0°С O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov, J.Vac.Sci.Tech. A17 (1999) As-rich Ga-rich Увеличение периода поверхностной кристаллической ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между дифракционными рефлексами)

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/6
Реклама. Продолжение ниже
8

Слайд 8

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
9

Слайд 9

Профиль электронной плотности у поверхности металла

Изображение слайда
1/1
10

Слайд 10

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
11

Слайд 11

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
12

Слайд 12

Поверхностные электронные состояния

Изображение слайда
1/1
13

Слайд 13

Поверхностные состояния в полупроводниках

Изображение слайда
1/1
14

Слайд 14

Зонная диаграмма поверхности полупроводника

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
Реклама. Продолжение ниже
15

Слайд 15

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
16

Слайд 16

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
17

Слайд 17

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
18

Слайд 18

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
19

Слайд 19

Изображение слайда
1/1
20

Слайд 20

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
21

Слайд 21

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
22

Слайд 22

Обратная ветвь идет по-другому: выпрямления нет!

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
23

Слайд 23

Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии (зона обеднения)

Изображение слайда
1/1
24

Слайд 24

Вольт-амперные характеристики туннельного диода

Изображение слайда
1/1
25

Слайд 25

Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода Обратное смещение Равновесие V=0 Вблизи максимума Прямое смещение Вблизи минимума Доминирует термоток

Изображение слайда
1/1
26

Слайд 26

Изображение слайда
1/1
27

Слайд 27

Изображение слайда
1/1
28

Слайд 28

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
29

Слайд 29

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
30

Слайд 30

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
31

Слайд 31

Экскурсия 2 декабря (четверг): 10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние света НОК НГУ

Изображение слайда
1/1
32

Слайд 32

Изображение слайда
1/1
33

Слайд 33

Изображение слайда
1/1
34

Слайд 34

Изображение слайда
1/1
35

Слайд 35

Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК) 15:00 Шкляев Александр Андреевич, вакуумный сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). НОЦ НГУ, к. 34

Изображение слайда
1/1
36

Последний слайд презентации: Статистика электронов и дырок в полупроводниках Плотность состояний : написать

Изображение слайда
1/1
Реклама. Продолжение ниже