Презентация на тему: Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии

Реклама. Продолжение ниже
Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии
Способы
Плазмохимическое осаждение
Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии
Оборудование
Импульсное лазерное осаждение (Абляция)
Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии
Ионная бомбардировка
Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии
Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии
Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии
Спасибо за внимание
1/12
Средняя оценка: 4.2/5 (всего оценок: 44)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (748 Кб)
Реклама. Продолжение ниже
1

Первый слайд презентации: Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии

Изображение слайда
1/1
2

Слайд 2: Способы

Плазмохимическое осаждение Импульсное лазерное осаждение Ионная бомбардировка

Изображение слайда
1/1
3

Слайд 3: Плазмохимическое осаждение

Технология Плазмохимического Осаждения из Газовой Фазы или ПХО (в английской литературе - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition или PECVD) использует газоразрядную плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
4

Слайд 4

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
5

Слайд 5: Оборудование

PlasmaPro 800 plus Система предлагается в различных вариантах исполнения: плазмохимическое осаждение ( ПХО, PECVD ) реактивное ионное травление ( РИТ, RIE ) плазмохимическое травление ( ПХТ, PE ) комбинированные РИТ/ПХТ системы для приложений реверсивной инженерии

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
6

Слайд 6: Импульсное лазерное осаждение (Абляция)

Применяется для физической и химической модификации вещества, происходящей в результате поглощения сфокусированного лазерного излучения в микронном и нанометровом масштабе.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
7

Слайд 7

Схема лазерной напылительной установки: 1.- лазер; 2 - фокусирующая линза; 3 - сменные мишени; 4 - подложка с нагревателем; 5 - система контроля за процессом; 6 - система сканирования

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
Реклама. Продолжение ниже
8

Слайд 8: Ионная бомбардировка

Ускоритель HVEE-500 При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/3
9

Слайд 9

Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/3
10

Слайд 10

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
11

Слайд 11

Схема основных процессов, обусловленных ионной бомбардировкой твёрдого тела. Показаны различные виды эмиссий заряженных и нейтральных частиц и различные виды радиационных дефектов.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/3
12

Последний слайд презентации: Способы получения нанокристаллических включений в монокремнии: Спасибо за внимание

Изображение слайда
1/1
Реклама. Продолжение ниже