Презентация на тему: Собственная и примесная проводимость полупроводников

Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
Собственная и примесная проводимость полупроводников.
1/10
Средняя оценка: 4.3/5 (всего оценок: 36)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (151 Кб)
1

Первый слайд презентации: Собственная и примесная проводимость полупроводников

Автор: курсант Ио4-14 Гимранов М.А. + + + +

Изображение слайда
2

Слайд 2

СОДЕРЖАНИЕ Особенности и строение полупроводников…........................ Собственная проводимость полупроводников………………….. Проводимость полупроводников при наличии примесей… р – п – переход………………………………………………………………………

Изображение слайда
3

Слайд 3

Полупроводники — материалы, которые по своей проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. ρ Т 0 Основное свойство полупроводников – увеличение электрической проводимости с ростом температуры. ∞ Из графика зависимости ρ (Т) видно, что при Т → 0, ρ → ∞, а при Т → ∞, ρ →0 Вывод: При низких температурах полупроводник ведет себя как диэлектрик, а при высоких обладает хорошей проводимостью ∞

Изображение слайда
4

Слайд 4

Строение полупроводников ( на примере кремния) 1 2 3 4 Кремний – четырехвалентный элемент, в о внешней оболочке – четыре электрона. Каждый атом связан с четырьмя соседними Каждая пара соседних атомов в заимодействует с помощью парноэлектронной связи. От каждого атома в ее образовании участвует один электрон. Любой валентный электрон может двигаться по любой из четырех связей атома, а, дойдя до соседнего, двигаться по его связям, т.е по всему кристаллу. Парноэлектронные связи достаточно прочны и при низких температурах не разрываются, поэтому при низких температурах кремний не проводит ток.

Изображение слайда
5

Слайд 5

Собственная проводимость полупроводников При повышении температуры отдельные связи разрываются, электроны становятся «свободными», в электрическом поле они перемещаются упорядоченно, образуя ток. При увеличении температуры от 300 К до 700 К их число возрастает в 10 7 раз. При разрыве связи образуется вакантное место, которое называют дыркой. В дырке имеется избыточный положительный заряд. + + + + Е

Изображение слайда
6

Слайд 6

Положение дырки в кристалле постоянно меняется. Этот процесс протекает так : Один из электронов, обеспечивающих связь атомов, перескакивает на место дырки, восстанавливает парноэлектронную связь, а там, где он находился, образуется дырка. Если Е = 0, то перемещение дырок беспорядочно, поэтому не создает тока. Если Е ≠ 0, то движение дырок становится упорядоченным, и к электрическому току, образованному движением электронов, добавляется ток, связанный с перемещением дырок. Вывод: в полупроводниках имеются носители зарядов двух типов : электроны и дырки. Проводимость чистых полупроводников называется собственной проводимостью полупроводников Собственная проводимость полупроводников обычно невелика.

Изображение слайда
7

Слайд 7

Электрическая проводимость полупроводников при наличии примесей ПРИМЕСИ ДОНОРНЫЕ АКЦЕПТОРНЫЕ Примеси, легко отдающие электроны, увеличивающие количество свободных электронов. Атом мышьяка имеет 5 валентных электронов, 4 из которых участвуют в образовании парноэлектронных связей, а пятый становится свободным. Полупроводники, содержащие донорные примеси, называются полупроводниками п – типа от слова negative – отрицательный Примеси, легко принимающие электроны, увеличивающие количество дырок. Атом индия имеет 3 валентных электрона, которые участвуют в образовании парноэлектронных связей, а для образования четвертой электрона недостает, в результате образуется дырка. Полупроводники, содержащие акцепторные примеси, называются полупроводниками р – типа от слова positive – положительный

Изображение слайда
8

Слайд 8

Наибольший интерес представляет контакт полупроводников р – и п – типа, называемый р – п - переходом р – типа п – типа р – п - переход При образовании контакта электроны частично переходят из полупроводника п - типа в полупроводник р – типа, а дырки – в обратном направлении В результате полупроводник п - типа заряжается положительно, а р – типа - отрицательно. В зоне перехода возникает электрическое поле, которое через некоторое время начинает препятствовать дальнейшему перемещению дырок и электронов. Е + _

Изображение слайда
9

Слайд 9

р – типа п – типа р – п - переход + _ U I 0 Рассмотренный переход называют прямым Вольт - амперная характеристика прямого перехода изображена на графике При данном подключении ток через р – п - переход осуществляется основными носителями зарядов, поэтому проводимость перехода велика, а сопротивление мало Особенности действия р – п - перехода при его подключении в цепь

Изображение слайда
10

Последний слайд презентации: Собственная и примесная проводимость полупроводников

р – типа п – типа р – п - переход + _ При данном подключении ток через р – п - переход осуществляется неосновными носителями, поэтому проводимость перехода мала, а сопротивление велико. U I 0 Этот переход называют обратным Вольт - амперная характеристика обратного перехода изображена на графике пунктиром. р – п - переход по отношению к току оказывается несимметричным : в прямом направлении сопротивление перехода значительно меньше, чем в обратном.

Изображение слайда