Презентация на тему: Полупроводниковые приборы

Реклама. Продолжение ниже
Полупроводниковые приборы
НАЗНАЧЕНИЕ И КЛАССИФИКАЦИЯ
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
Полупроводниковые приборы
ТРАНЗИСТОРЫ
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
Полупроводниковые приборы
ТИРИСТОРЫ
1/16
Средняя оценка: 4.4/5 (всего оценок: 87)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (3646 Кб)
Реклама. Продолжение ниже
1

Первый слайд презентации: Полупроводниковые приборы

Подготовила: Студентка 1 курса Группы ЗИО-19 1/9 Максимовская Анна

Изображение слайда
1/1
2

Слайд 2: НАЗНАЧЕНИЕ И КЛАССИФИКАЦИЯ

Полупроводниковыми приборами называются электронные устройства, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике полупроводниковые приборы используются для обработки электрических сигналов, а также для преобразования одних видов энергии в другие. Полупроводниковые приборы разделяют на дискретные и интегральные.

Изображение слайда
1/1
3

Слайд 3

Дискретные полупроводниковые приборы, выполняемые в виде отдельных устройств, различают по назначению, принципу действия, типу используемого полупроводникового материала, конструкции и технологии, виду характеристик, областям применения. К основным классам таких дискретных приборов относят: электропреобразовательные приборы (диод, транзистор, тиристор и другие); оптоэлектронные приборы, преобразующие световые сигналы в электрические и наоборот (фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, полупроводниковый лазер, излучающий диод и т.д.); термоэлектрические, преобразующие тепловую энергию в электрическую и наоборот (термоэлемент, термоэлектрический генератор, терморезистор и т.п.); магнитоэлектрические приборы (например, измерительный преобразователь на основе эффекта Холла); пьезоэлектрические и тензометрические приборы, реагирующие на изменение давления или механическое смещение и другие воздействия.

Изображение слайда
1/1
4

Слайд 4

Интегральные полупроводниковые приборы являются активными элементами монолитных интегральных схем, которые строятся по обычным принципам схемотехники. Монолитные интегральные схемы состоят из интегральных диодов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и соединений между ними. Элементы интегральных схем создаются в едином технологическом цикле на одном кристалле полупроводника. Если же пассивные элементы изготавливают отдельно на диэлектрической подложке, а активные элементы устанавливают в схему в виде дискретных бескорпусных полупроводниковых приборов, то интегральная схема называется гибридной.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
5

Слайд 5

Интегральные схемы классифицируют по областям использования (цифровые и аналоговые ). Цифровые включают в себя логические, счетно-преобразовательные и интегральные схемы памяти. Аналоговые интегральные схемы охватывают приборы усиления, источники вторичного питания, сверхвысокочастотные схемы.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
6

Слайд 6

В зависимости от применяемого полупроводникового материала различают германиевые, кремниевые, арсенид-галлиевые и другие приборы. Первые полупроводниковые приборы были изготовлены на основе селена Se и закиси меди Сu20Это были простейшие приборы — выпрямительные диоды. С изобретением транзистора (1949 г.) широкое распространение получил германий Ge, который, начиная с 90-х годов, почти полностью вытеснен кремнием Si. Приобретают важное значение, особенно в оптоэлектронике, различные двойные, тройные и более сложные соединения ( GaAs, СаР, CdS, SiP и др.), обладающие полупроводниковыми свойствами.

Изображение слайда
1/1
7

Слайд 7

По конструктивным и технологическим признакам полупроводниковые приборы разделяют на точечные и плоскостные. Последние в свою очередь делятся на сплавные, диффузионные, мезапланарные, планарные и др. Основой технологии большей части полупроводниковых приборов является планарная технология, включающая в себя процессы: защиты поверхности полупроводника тонкой пленкой диэлектрика, чаще всего окиси кремния SiO2; фотолитографии; диффузии примесей и ионного легирования; нанесения тонких металлических пленок. Полупроводниковые приборы выпускают в металлокерамических или пластмассовых корпусах, защищающих приборы от внешнего воздействия. Исключениями являются бескорпусные приборы.

Изображение слайда
1/1
Реклама. Продолжение ниже
8

Слайд 8

В зависимости от мощности преобразуемых сигналов различают полупроводниковые приборы малой мощности (обычно на токи до 10 А) и силовые полупроводниковые приборы (СПП).

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
9

Слайд 9: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Основу диодов составляет двухслойная монокристаллическая полупроводниковая структура с электронно-дырочным переходом или контакт металл—полупроводник. Принцип действия диодов определяется свойством односторонней проводимости р— n -перехода. Основные электрические, тепловые, механические и другие свойства приборов определяются параметрами и их характеристиками. Параметры силовых полупроводниковых приборов могут быть предельно допустимыми и характеризующими.

Изображение слайда
1/1
10

Слайд 10

Предельно допустимое значение — это такое значение параметра прибора, превышение которого может привести к повреждению прибора. Характеризующий параметр — это значение параметра, которое отражает определенное свойство прибора. Все параметры приборов обозначаются буквами латинского алфавита: основные буквы прописные и строчные, индексы в основном прописными буквами.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
11

Слайд 11: ТРАНЗИСТОРЫ

Транзистор (от английского слова transfer of resistor — преобразователь сопротивления) представляет собой полностью управляемый полупроводниковый прибор, обладающий свойством усиления электрических сигналов. Широко применяются биполярные и полевые (униполярные) транзисторы

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
12

Слайд 12

Биполярные транзисторы— полупроводниковые приборы с двумя взаимодействующими электронно-дырочными переходами и с тремя или более выводами (эмиттер, коллектор, база), усилительные свойства которых обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Работа транзистора зависит от носителей обеих полярностей (отсюда термин "биполярный"). По структуре полупроводникового кристалла транзистор может быть выполнен р—п—р- или п—р—n-типа

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
13

Слайд 13

Структура транзистора содержит области эмиттера Э, коллектора К и базы Б, разделенные эмиттерным П1 и коллекторным П2 переходами. Исторически биполярный транзистор предложен первым в 1949 г. В. Шокли. Первые транзисторы были, главным образом, р—п—р-типа и изготавливались методами сплавной технологии. Большинство современных транзисторов типа п—р—n и изготавливаются они методами селективной диффузии через оксидные маски. Транзисторы п—р—n-типа выполняются на высокие значения напряжения, на их основе созданы мощные переключающие приборы.

Изображение слайда
1/1
14

Слайд 14

Полевые транзисторы — полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающих через проводящий канал и управляемых электрическим полем. Работа транзисторов зависит от носителей заряда одной полярности (отсюда термин "униполярные").

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
Реклама. Продолжение ниже
15

Слайд 15

Название "полевой" произошло от управляющего электрического поля. Полупроводниковый кристалл содержит канал, который имеет три или четыре вывода: исток И, сток С, затвор 3 и подложка П. Через исток носители втекают в канал, через сток — вытекают из канала. Затвор является управляющим электродом. Характерной особенностью полевых транзисторов является большое входное сопротивление. Но транзисторы этого типа имеют большее напряжение в открытом состоянии и, следовательно, имеют более высокие потери от тока в канале, что ограничивает их мощность

Изображение слайда
1/1
16

Последний слайд презентации: Полупроводниковые приборы: ТИРИСТОРЫ

Тиристор — это полупроводниковый прибор, с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три р—л-перехода или более, который может переключаться из закрытого состояния в открытое (процесс отпирания) и из открытого состояния в закрытое (процесс запирания).

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2