Презентация на тему: Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы
Основные определения и сведения
Вариант конструкции БТ
Режимы работы
Включение транзистора по схеме ОБ
Коэффициенты усиления
Максимальный коэффициент усиления по мощности
Фрагмент транзисторной структуры (в активном режиме)
Процессы протекающие в БТ включенном по схеме ОБ
Схема с общим эмиттером (ОЭ)
Работа БТ в режиме ОЭ
Полупроводниковые приборы
Статические ВАХ транзистора (схема ОЭ)
Схема замещения для малого сигнала, h- параметры
Сравнение параметров различных схем включения БТ
Частотная характеристика транзистора
Упрощенная модель транзистора – усилитель тока
Расчет транзисторного переключателя (определить R1)
1/18
Средняя оценка: 4.5/5 (всего оценок: 63)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (718 Кб)
1

Первый слайд презентации: Полупроводниковые приборы

Биполярные транзисторы

Изображение слайда
2

Слайд 2: Основные определения и сведения

БТ – это прибор состоящий из двух взаимодействующих p-n переходов. БТ являются основными приборами современной твердотельной электроники. Основные параметры: Диапазон токов от мкА до сотен Ампер. Диапазон напряжений от единиц Вольт до 2 кВ. Частота от пост. тока до 5 ГГц. Область применения: усилители, переключатели, генераторы. Транзистор может быть включен по схемам с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). При этом один из выводов транзистора является общим для входной и выходной цепи. Входная цепь – цепь источника сигнала, выходная – цепь нагрузки, в которой выделяется усиленная мощность.

Изображение слайда
3

Слайд 3: Вариант конструкции БТ

Изображение слайда
4

Слайд 4: Режимы работы

активный (или усилительный) режим имеет место, когда эмиттерный переход открыт, а коллекторный - закрыт; режим отсечки – когда оба перехода закрыты; режим насыщения – когда оба перехода открыты; инверсный режим – когда эмиттерный переход закрыт, а коллекторный – открыт. В активном режиме транзистор работает как линейный (в первом приближении) усилитель малого переменного сигнала. Если же транзистор используется как электронный ключ, запертому состоянию ключа соответствует режим отсечки, а открытому состоянию – режим насыщения.

Изображение слайда
5

Слайд 5: Включение транзистора по схеме ОБ

Для простоты анализа проследим, как происходит усиление сигнала постоянного тока. Для этого будем полагать величину переменного сигнала V вх~ = 0. А меняться будет только величина смещения ЕЭ во входной цепи (это и будет входное напряжение). Выходным током при этом является ток эмиттера JЭ. Выходным напряжением является напряжение на нагрузке Vн, а выходным током – ток коллектора JК. В таком случае мощность входного сигнала Pвх = JЭ ⋅ ЕЭ, а мощность выходного сигнала Pвых = Jк ⋅ Vк.

Изображение слайда
6

Слайд 6: Коэффициенты усиления

В технической литературе коэффициент усиления по току К J принято называть коэффициентом передачи токa, который для схемы с ОБ обозначается α (или h 21Б ) и является одним из основных параметров транзистора. Коэффициент передачи тока α очень мало отличается от 1 в меньшую сторону и составляет для современных приборов (0.95÷0.999).

Изображение слайда
7

Слайд 7: Максимальный коэффициент усиления по мощности

Изображение слайда
8

Слайд 8: Фрагмент транзисторной структуры (в активном режиме)

Изображение слайда
9

Слайд 9: Процессы протекающие в БТ включенном по схеме ОБ

Входное напряжение, падая на эмиттерном pn-переходе, снижает потенциальный барьер для основных носителей, обеспечивая инжекцию дырок в базу транзистора. Встречная инжекция электронов из базы в эмиттер из-за резкой асимметрии эмиттерного перехода ( область эмиттера легирована намного сильнее области базы ) очень мала. База легирована однородно, дырки в базе перемещаются только вследствие диффузии. Дырки в базе – неосновные носители и в течение времени жизни они могут диффундировать в любом направлении в среднем на диффузионную длину Lp. Поскольку толщина активной базы WБ много меньше Lp, то дырки в своем движении обязательно подтекают либо к эмиттерному, либо к коллекторному переходам. Полем переходов эти дырки выбрасываются из базы либо в коллектор, либо в эмиттер. Та часть дырок, которая возвращается в эмиттер, не дает вклада ни в ток эмиттера, ни, тем более, в ток коллектора. Те же дырки, что собрались коллекторным переходом, обеспечивают вклад и в ток эмиттера, и в ток коллектора. В процессе перемещения носителей от вывода эмиттера до вывода коллектора часть дырок рекомбинирует с электронами, поступающими в основном из базового вывода транзисторов

Изображение слайда
10

Слайд 10: Схема с общим эмиттером (ОЭ)

Изображение слайда
11

Слайд 11: Работа БТ в режиме ОЭ

Основное отличие работы транзистора по схеме с ОЭ от работы по схеме с ОБ заключается в том, что происходит также значительное усиление по току : Процессы возникающие при работе транзистора в режиме ОЭ Электроны в базе оказываются в потенциальной яме, т.е. они отделены энергетическим барьером от эмиттера и от коллектора. Свободный вход-выход электронов осуществляется только через омический контакт к базе. Осуществим на входе режим генератора тока (JБ – const). Это означает, что в каждую единицу времени в базу поступает фиксированная порция электронов. За единицу времени примем время пролета дырок через активную базу (τ прол ). Поступающую за это время в базу порцию электронов обозначим Δn 1.

Изображение слайда
12

Слайд 12

После включения базового тока в первую единицу времени в базу поступает Δn1 электронов, которые заряжают базу отрицательно. Компенсация этого заряда может происходить либо за счет ухода этих электронов в эмиттере через понизившийся потенциальный барьер, либо за счет прихода в базу из эмиттера дырок (или и то и другое). Однако, благодаря тому, что эмиттер легирован много сильнее базы, реализуется второй вариант. Таким образом, в базу из эмиттера поступает порция дырок Δp1 = Δn1. Избыточные электронно-дырочные пары диффундируют от эмиттера к коллектору и через время пролета все дырки оказываются в коллекторе. Таким образом, коллекторный ток появляется с определенной задержкой (≈τ прол ) после подачи базового тока и в первый момент равен базовому току. Однако дырки ушли в коллектор, а электроны остались в базе. К этому времени в базу поступает следующая порция электронов Δn1, и количество электронов в базе (в первом приближении) удваивается. Следовательно, из эмиттера в базу должно поступать вдвое больше дырок, которые опять через время пролета соберутся коллектором и так далее. Идет накопление в базе избыточных электронов и ток дырок растет со временем. Если бы отсутствовали процессы рекомбинации в базе, то процесс накопления электронов (и, следовательно, рост коллекторного тока) продолжался бы непрерывно. Однако, при прохождении базы часть дырок рекомбинирует. Когда количество рекомбинирующих дырок за время пролета будет равно количеству поступающих в базу электронов Δn1 процесс стабилизируется.

Изображение слайда
13

Слайд 13: Статические ВАХ транзистора (схема ОЭ)

Изображение слайда
14

Слайд 14: Схема замещения для малого сигнала, h- параметры

Изображение слайда
15

Слайд 15: Сравнение параметров различных схем включения БТ

Изображение слайда
16

Слайд 16: Частотная характеристика транзистора

Изображение слайда
17

Слайд 17: Упрощенная модель транзистора – усилитель тока

Для n - p - n транзистора : Коллектор имеет более положительный потенциал, чем эмиттер. Цепи база-эмиттер и база коллектор работают как диоды. Каждый транзистор характеризуется максимальными значениями I к, I э и U кэ. Если правила 1-4 соблюдены, то I к пропорционален I б. Значение коэффициента усиления транзистора по току может быть от 50 до 250. В работающем транзисторе напряжение на базе больше напряжения на эмиттере на 0,6 В. Ток коллектора мало зависит от напряжения на коллекторе

Изображение слайда
18

Последний слайд презентации: Полупроводниковые приборы: Расчет транзисторного переключателя (определить R1)

Коэффициент усиления равен 100 (в общем случае). Когда напряжение коллектор-эмиттер становится равным около 0,2 В, ток в коллекторной цепи перестает зависеть от базового. Иногда в цепь база-эмиттер подключают дополнительное сопротивление около 10 к, для точной установки нуля на базе при отключенном выключателе. Подача большего тока на базу позволяет избежать следующих проблем: Коэффициент усиления транзистора может изменяться в определенных пределах. При небольшых напряжениях между коллектором и базой уменьшается коэффициент усиления.

Изображение слайда