Презентация на тему: Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:

Реклама. Продолжение ниже
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Биполярные транзисторы
Транзисторы
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Параметры транзистора
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
ВАХ схемы общий эмиттер
ВАХ схемы общий эмиттер
Входная характеристика I б = ƒ ( U бэ, U кэ)
Влияние изменения температуры на ВАХ
Вид реального транзистора КТ908А
Первый отечественный транзистор П1
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
полевые транзисторы
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:
1/39
Средняя оценка: 4.9/5 (всего оценок: 23)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (1518 Кб)
Реклама. Продолжение ниже
1

Первый слайд презентации

Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания: Составление опорного конспекта 20.03.2020 ФИО преподавателя: Логинова Татьяна Александровна, эл.почта TALogunova 32@ yandex. ru срок выполнения (сдачи) задания: 24.03.2020 Формулировка задания: необходимо составить опорный конспект в рукописном виде, фото скинуть мне на почту или в контакт

Изображение слайда
1/1
2

Слайд 2: Биполярные транзисторы

Изображение слайда
1/1
3

Слайд 3: Транзисторы

Транзистор - полупроводниковый прибор, позволяющий усиливать мощность электрических сигналов. Подразделяются на биполярные и полевые. транзисторы биполярные полевые n-p-n p-n-p Биполярные транзисторы были разработаны в 1947 г. Полевые – в 1952 г.

Изображение слайда
1/1
4

Слайд 4

Область транзистора, которая расположена между двумя ( p - n ) переходами называется базой. Область транзистора, из которой происходит инжекция носителей зарядов в базу, называется эмиттером, а переход между эмиттером и базой называется эмиттерный переход. Область транзистора, основным назначением которого является экстракция носителей из базы, называется коллектором.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/3
5

Слайд 5

U к-э = U к-б + U б-э U б-э <<U к-б U к-э ≈ U к-б

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
6

Слайд 6

Режимы работы Активный режим.  На эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный – обратное. Этот режим является основным режимом работы транзистора при работе с аналоговыми сигналами. Режим отсечки. К обоим переходам подводятся обратные напряжения. Поэтому через них проходит лишь незначительный ток, обусловленный движением неосновных носителей заряда. Транзистор в режиме отсечки оказывается запертым.

Изображение слайда
1/1
7

Слайд 7

Режим насыщения.  Оба перехода находятся под прямым напряжением. Ток в выходной цепи транзистора максимален и практическая не регулируется током входной цени. В этом режиме транзистор полностью открыт. Инверсный режим. К эмиттерному переходу подводится обратное напряжение, а к коллекторному – прямое. Эмиттер и коллектор меняются своими ролями – эмиттер выполняет функции коллектора, а коллектор – функции эмиттера. Этот режим, как правило, не соответствует нормальным условиям эксплуатации транзистора.

Изображение слайда
1/1
Реклама. Продолжение ниже
8

Слайд 8: Параметры транзистора

. α - статический коэффициент передачи тока эмиттера, α = дифференциальное сопротивление цепи базы, В - статический коэффициент передачи тока базы, В = α 1 ─ α В + 1 В r диф = ∆I б ∆ U бэ r к = ∆I к ∆ U к - дифференциальное сопротивление цепи коллектора, I кэ о - сквозной ток транзистора в схеме ОЭ, Мощность рассеяния Рк = < Рк. доп U к I к · Р к.доп – допустимая мощность рассеяния коллекторной цепи. Эта мощность выделяется в виде тепла.

Изображение слайда
1/1
9

Слайд 9

Чаще используется включение транзистора по схеме общий эмиттер. В этом случае эмиттер является общим как для входной цепи так и для выходной. I б – управляющий ток, I к – управляемый ток. I э = I к + I б

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
10

Слайд 10: ВАХ схемы общий эмиттер

Определим ток коллектора применительно к схеме ОЭ. ВАХ схемы общий эмиттер I э = I к + I б. I к = α ·I э + I кб о В уравнение подставим значение тока После преобразований получим I к = ·I б + α 1 ─ α I кб о 1 ─ α Обозначим = В α 1 ─ α I кб о 1 ─ α = I кэ о I кэ о I к = В ·I б + I кб о I кэ о - сквозной ток транзистора Ток << I к I к = В ·I б При α = 0,99, В ≈ 100. Это означает, что ток коллектора в 100 раз больше тока базы

Изображение слайда
1/1
11

Слайд 11: ВАХ схемы общий эмиттер

. ВАХ схемы общий эмиттер Коллекторная характеристика I к = ƒ ( U кэ, I б) I к U кэ I б = 0 I б ′ I б ′″ I б ′″ I кэ о I б 60 ″ º С I б 20 ″ º С I б ″ I б ′ > > Рк.доп I к = В ·I б ∆ I к ∆ U к r к = ∆ I к ∆ U к

Изображение слайда
1/1
12

Слайд 12: Входная характеристика I б = ƒ ( U бэ, U кэ)

Переход Б - Э включен в прямом направлении, чему соответствует пряма ветвь p-n- перехода. I б U бэ U кэ = 0 U кэ > 0 20 C t =60 C o o I кб 0 ∆ U бэ ∆I б I б2 I б1 ∆I б = ( I б2 I б1 ) r диф = ∆I б ∆ U бэ

Изображение слайда
1/1
13

Слайд 13: Влияние изменения температуры на ВАХ

Токи в транзисторе сильно зависят от изменения температуры. I кэ о - Ток удваивается при изменении температуры на каждые 8 -10 градусов. - Коэффициент В увеличивается при повышении температуры с темпом 3% на градус. - На входной ВАХ ТКН = - 2 мВ/ º С. Указанные факторы приводят к увеличению тока коллектора с повышением температуры. Поэтому коллекторные ВАХ смещаются в область больших токов коллектора.

Изображение слайда
1/1
14

Слайд 14: Вид реального транзистора КТ908А

132

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
Реклама. Продолжение ниже
15

Слайд 15: Первый отечественный транзистор П1

144

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
16

Слайд 16

Полевые транзисторы Идея работы полевого транзистора была высказана в 1930 г. В 1952 г. принцип работы удалось реализовать японскому ученому Есаки.

Изображение слайда
1/1
17

Слайд 17: полевые транзисторы

Полупроводниковый электропреобразовательный прибор, способный усиливать мощность электрических сигналов. Особенность работы транзисторов состоит в том, что: - выходной ток управляется с помощью электрического поля, - в процессе протекания электрического тока участвуют только основные носители. Поэтому такие транзисторы называют униполярными.

Изображение слайда
1/1
18

Слайд 18

4.1 Классификация ПТ ПТ с p-n- переходом МДП-транзистор n- канальный р-канальный встроен. канал индуцир. канал n- канальный n- канальный р - канальный МДП - металл, диэлектрик, полупроводник

Изображение слайда
1/1
19

Слайд 19

Классификация ПТ - с управляющим p-n- переходом, с изоляцией диэлектриком - МДП-транзисторы. В зависимости от того, как изолирован управляющий электрод от управляемого канала различают транзисторы: Если в качестве изолятора используется SiO2 – двуокись кремния – то транзистор называют МОП-структурой (металл-окисел-полупроводник).

Изображение слайда
1/1
20

Слайд 20

Классификация ПТ - индуцированный канал. - n- типа ( n -канальные), - р - типа (р-канальные). В зависимости от конструктивного исполнения проводящего канала различают транзисторы: встроенный канал, В зависимости от того, какие носители являются переносчиками тока, различают: Встроенный канал организуется при технологическом изготовлении транзистора. Индуцированный канал образуется во время работы транзистора.

Изображение слайда
1/1
21

Слайд 21

Система обозначений полевого транзистора Транзистор с управляющим p-n- переходом С И З n- канальный р-типа Транзистор со встроенным каналом n- канальный П р - канальный П Транзистор с индуцированным каналом n- канальный П З З И Подложку П технологически соединяют с истоком. Иногда подложку выводят отдельным выводом.

Изображение слайда
1/1
22

Слайд 22

4.2 Принцип работы ПТ Структура ПТ с управляющим p-n- переходом ПТ представляет собой пластину слаболегированного полупроводника n- типа, на боковой грани которой сформирована область обогащенного полупроводника р-типа. Эти области образуют p-n- переход. Сток ( С ) Исток ( И ) Затвор ( З ) р n- + р -n- Канал + U си U зи – + – I c

Изображение слайда
1/1
23

Слайд 23

Сток ( С ) Исток ( И ) Затвор ( З ) р n- + р -n- Канал U зи – + – I c Электрод, через который в канал втекают носители тока называется исток (и). Электрод, через который носители тока вытекают из канала – сток. Электрод, называемый затвором, предназначен для регулирования поперечного сечения канала. Концентрация носителей n- типа в канале много меньше концентрации дырок в области затвора. Поэтому область p-n- перехода, обедненная носителями, будет располагаться в основном, в канале.

Изображение слайда
1/1
24

Слайд 24

Принцип работы ПТ Подключим к структуре внешние источники напряжения. Управляющий p-n- переход включен в обратном направлении и имеет высокое сопротивление. Принцип действия такого транзистора заключается в том, что при изменении напряжения на затворе изменяется толщина обедненного слоя, а следовательно, изменяется сечение канала, проводимость канала и ток стока. Т.е. изменением напряжения на затворе можно управлять током стока.

Изображение слайда
1/1
25

Слайд 25

Принцип работы ПТ При некотором напряжении U зи канал полностью перекроется обедненной область p-n- перехода и ток стока уменьшится до нуля. Это напряжение является параметром транзистора и называется напряжением отсечки тока стока U зи.отс. Примем U зи = 0. При небольших напряжениях сток-исток U си канал ведет себя как линейное сопротивление. По мере роста напряжения обедненный слой будет расширяться, причем около стока в большей мере, чем около истока. Сечение канала будет уменьшаться и рост тока замедлится. Начиная с напряжения U си = U зи.отс в транзисторе будет наблюдаться режим насыщения. Этот эффект называют эффектом модуляции длины канала.

Изображение слайда
1/1
26

Слайд 26

4.3 Вольт-амперные характеристики ПТ Основными статическими характеристиками полевого транзистора являются: выходная или стоковая I c = ƒ( U си, U зи ), передаточная или стокозатворная I c = ƒ( U зи, U си ). Выходная ВАХ I c = ƒ(U си, U зи ) I c, мА U си, В 4 2 4 8 12 16 20 U си.проб. U зи = 0 U зи = 0,5В U зи = 1,0В U зи = 1,5В Ic.нач

Изображение слайда
1/1
27

Слайд 27

Вольт-амперные характеристики ПТ Стокозатворная характеристика I c = ƒ(U зи, U си ) U зи В I c мА 4 2 I c.нач - 2,0 - 1,0 U си = 10В U си = 5В ∆ U зи ∆ I c ∆ U си Эта характеристика хорошо описывается выражением I c = I c.нач ( 1 - U зи U зи.отс ) 2 •

Изображение слайда
1/1
28

Слайд 28

4.4 Параметры ПТ В общем случае ВАХ транзистора являются нелинейными. Однако при небольших значениях переменных составляющих напряжений и токов полевой транзистор можно считать линейным элементом. Параметры, характеризующие свойство транзистора усиливать напряжение крутизна S = дифференциальное сопротивление сток-исток ∆ I c ∆U зи U си = const r си = ∆ U си ∆ I c U зи = const - коэффициент усиления по напряжению μ = ∆ U си ∆U зи I с = const [ Ом ] мА В [ ]

Изображение слайда
1/1
29

Слайд 29

Параметры ПТ Малосигнальные параметры связаны соотношением μ = S • r си Параметры транзистора можно определить экспериментально, как показано на входной ВАХ. Значение параметров зависит от точки ВАХ, в которой они определялись. Возможны три схемы включения полевого транзистора: с общим истоком, общим стоком, общим затвором. Наибольшее применение находит схема ОИ. В рабочем режиме в цепи затвора протекает ток обратносмещенного p-n -перехода, составляющий единицы наноампер. Полевой транзистор имеет высокое входное сопротивление, что является одним из основных его достоинств.

Изображение слайда
1/1
30

Слайд 30

Лекция 9 4.5 Полевые транзисторы с изолированным затвором В транзисторах этого типа затвор отделен от полупроводника (канала) слоем диэлектрика. Если используется двуокись кремния SiO 2, то транзисторы обозначают аббревиатурой МОП. МДП транзисторы делятся на два типа: - со встроенным каналом (обедненного типа), - с индуцированным каналом (обогащенного типа). Канал может быть n- типа или р-типа. Особенность транзисторов данного типа – очень высокое входное сопротивление, поскольку управляющий затвор отделен от остальной структуры слоем изолятора.

Изображение слайда
1/1
31

Слайд 31

МДП транзистор со встроенным каналом С И З М еталл Al SiO 2 p- p- типа n - + n - + канал n- типа П -подложка - + U си - U зи Транзистор может работать в двух режимах: - обеднения, - обогащения. I c

Изображение слайда
1/1
32

Слайд 32

Встроенный канал Режим обеднения. На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку. Под действием электрического поля электроны выталкиваются из подзатворной области, канал обедняется носителями и ток стока уменьшается. Режим обогащения. На затвор подается положительное напряжение по отношению к истоку. Под действием электрического поля электроны втягиваются в подзатворную область, канал обогащается носителями и ток стока увеличивается.

Изображение слайда
1/1
33

Слайд 33

МДП транзисторы с индуцированным каналом С И З М еталл Al SiO 2 n- n- типа p - + p - + П -подложка + - U си - U зи I c Транзистор может работать только в режиме обогащения.

Изображение слайда
1/1
34

Слайд 34

МДП транзисторы с индуцированным каналом Режим обогащения. На затвор подается отрицательное напряжение по отношению к истоку. Под действием электрического поля электроны выталкиваются из подзатворной области, канал обогащается носителями р-типа и образуется канал, начинает протекать ток стока. До некоторого напряжения U пор канал отсутствует и транзистор закрыт.

Изображение слайда
1/1
35

Слайд 35

МЕП транзисторы МЕП - металл-полупроводник В последнее время широкое распространение получили транзисторы с управляющим p-n- переходом. Металлический затвор с полупроводником образует барьер Шоттки. Канал n- типа образуется обедненной областью барьера. Транзистор этого типа может работать как в режиме обеднения так и в режиме обогащения. С И З М еталл Al SiO 2 p- p- типа GaAs n - + n - + П -подложка канал n- типа Транзисторы используются в мощных быстродействующих устройствах

Изображение слайда
1/1
36

Слайд 36

4.6 Ячейка памяти на основе МОП-транзистора Используются транзисторы с индуцированным каналом. Предназначены для создания быстродействующей программируемой запоминающей ячейки флэш-памяти. Позволяет производить электрическую запись и стирание одного бита информации. Эти устройства являются энергонезависимыми. Информация не стирается при отключении питания. Упрощенная структура ячейки флэш-памяти С И З SiO 2 p- p- типа GaAs n - + n - + П -подложка Нитрид кремния Si 3 N 4

Изображение слайда
1/1
37

Слайд 37

ячейка флэш-памяти При записи информации в ячейку памяти на затвор подается импульс напряжения. В результате происходит пробой тонкого слоя изоляции. Электроны получают дополнительную энергию и туннельным эффектом переходят в плавающий затвор. Затвор заряжается отрицательно. Пороговое напряжение увеличивается. При обращении к транзистору такой ячейки он будет восприниматься как выключенный (ток стока равен нулю). Это соответствует записи одного бита – единицы.

Изображение слайда
1/1
38

Слайд 38

ячейка флэш-памяти При стирании информации электроны уходят с плавающего затвора (также в результате туннелирования) в область истока. Транзистор в этом случае воспринимается при считывании информации как включенный. Что соответствует записи логического нуля. Циклов записи-считывания может быть сотни тысяч. Записанное состояние ячейки может храниться десятки лет.

Изображение слайда
1/1
39

Последний слайд презентации: Наименование дисциплины: ОП.04 Электроника гр. МНЭ 19-1Т Форма и дата задания:

Полевые транзисторы малой мощности

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
Реклама. Продолжение ниже