Презентация на тему: Л. р. : Испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером

Л. р. : Испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером Как определить назначение электродов ? Статические характеристики транзисторов Схема стенда Параметры транзистора МП115 Снять семейство выходных характеристик Снять семейство входных характеристик Вольтамперные характеристики МП115 Вольтамперные характеристики МП115 Л. р. : Испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером Л. р. : Испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером Начальный участок входной характеристики
1/12
Средняя оценка: 4.6/5 (всего оценок: 90)
Скачать (846 Кб)
Код скопирован в буфер обмена
1

Первый слайд презентации: Л. р. : Испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером

При ремонте электронного оборудования часто по типу транзистора необходимо определить его свойства, назначение и характеристики. Это позволяет оценить назначение прибора, его входные и выходные сигналы и в конечном счете исправность прибора. Наибольшей популярностью пользуется схема с общим эмиттером, поэтому в лабораторной работе рассмотрена именно эта схема.

2

Слайд 2: Как определить назначение электродов ?

р n p МП115 : p-n-p

3

Слайд 3: Статические характеристики транзисторов

Статические характеристики транзисторов бывают двух видов: входные и выходные. <

4

Слайд 4: Схема стенда

p n p μ A mA p n p VT1 – МП115 - + - + p n P VT1 – МП115 μ А mA

5

Слайд 5: Параметры транзистора МП115

Записать технические параметры кремниево uj низкочастотного транзистора типа МП115 ( р-п-р ): коэффициент усиления по току β = 9…45; ток коллектора I к = 10 mA ; напряжения: U кэ = 30 В; допустимая рабочая температура -55 ÷ +100 О С.

6

Слайд 6: Снять семейство выходных характеристик

I k = f ( U k ) при I вх = const для нескольких значений I вх. I вх. = 60* 10 -6 U k V 6,3 9,13 11,3 12.6 14.6 I k = А * 10 -6 2.5 2.7 2.8 2.9 2.9 I вх. = 40* 10 -6 U k V 6.3 9.13 11.3 12.6 14.6 I k= А * 10 -6 0.7 0.8 0.8 0.9 1.0 I вх. = 20* 10 -6 U k V 6,3 9,13 11,3 12.6 14.6 I k = А * 10 -6 0.25 0/28 0/28 0/28 0/3

7

Слайд 7: Снять семейство входных характеристик

Снять семейство входных характеристик U вх = f ( I вx ) при U k = const для нескольких значений U k (- 0.27, -0.33,-0.4, -0,45, -0.5), U вх = f ( I вx ) при U k = const для нескольких значений U k (0, - 4.5,). Uk = 0V I вх μ А 2 5 6 10 25 U вх V 0.27 0.33 0,4 0.45 0.5 Uk = -4.5V I вх μ А -0.15 -0.25 -0.30 -0.30 -0.40 U вх V 0,5 0.45 0.4 0.33 0.27

8

Слайд 8: Вольтамперные характеристики МП115

9

Слайд 9: Вольтамперные характеристики МП115

10

Слайд 10

Схемы включения биполярных транзисторов Марченко

11

Слайд 11

Эквивалентная схема транзистора

12

Последний слайд презентации: Л. р. : Испытание биполярного транзистора и усилителя по схеме с общим эмиттером: Начальный участок входной характеристики

При малом напряжении эмиттер-база и значительном напряжении на коллекторе переход база-коллектор оказывается обратно смещенным и обратный ток база-коллектор превышает прямой на переходе эмиттер-база. Этим обясняется наличие отрицательного тока при U б-э = 0…250 мВ

Похожие презентации

Ничего не найдено