Презентация на тему: Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и

Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и варианты роста кристаллов
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Хромшпинелиды нодулярные в оливиновой матрице
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Хромшпинелиды нодулярные в оливиновой матрице
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Хромшпинелиды нодулярные
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин – овоиды -вкрапленники в оливин-хромшпинелидной матрице
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин-хромшпинелидные орбикулы
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин-хромшпинелидные орбикулы
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин-хромшпинелидные орбикулы
Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост.
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и
1/53
Средняя оценка: 4.5/5 (всего оценок: 93)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (29799 Кб)
1

Первый слайд презентации: Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и варианты роста кристаллов

Э.М. Спиридонов

Изображение слайда
2

Слайд 2

Элементы строения кристаллов Кристаллы образуют пирамиды роста граней, плоскости роста рёбер, линии роста вершин. Часто кристал-лы растут из микроскопичес-кого размера зародышей, так называемых критических зародышей, обладающих той же кристаллической структу-рой, что и макрокристаллы. Макрокристаллы возникают путём разрастания этих зародышей, при воспроизвод-стве, редупликации кристал-лической структуры данного минерала. Индивиды. Рост кристаллов

Изображение слайда
3

Слайд 3

Механизмы роста кристаллов Их четыре. Нормальный рост, когда поверхность любой ориентации, включая иррациональные, перемещается параллельно самой себе. Результаты нормального роста: округлые поверхности кристаллов, выросшие из рас- плава; кривые поверхности скелетных и иных кристаллов. При росте крис- таллов из расплава в условиях высоких градиентов температуры и при движении расплава нормальный рост обычен. Таковы округлые вкраплен- ники кварца в кремнекислых вулканитах и в гранитоид-порфирах, овоиды K-Na полевого шпата в гранитах-рапакиви, нодули хромшпинелидов и овоиды оливина в гипербазитах, шаровидные срастания – вкрапленники авгита (+ бронзит - гиперстен) в кварцевых габброидах (степнякитах). Любопытная аналогия с округлой формой льдин, образующихся при замерзании вод Байкала в очень ветренную погоду, т.е. при интенсивном движении. Итак, нормальный рост происходит в подвижной среде. При этом кривизна поверхности кристалла в целом отвечает кривизне изотермической поверхности. Нормальный рост происходит, когда существуют несингулярные поверхности с очень большим числом мест прикрепления частиц. На таких поверхностях частицы могут прикреплять- ся практически в любом месте, что и обусловливает практически параллельное перемещение поверхности растущего кристалла.

Изображение слайда
4

Слайд 4

Механизмы роста кристаллов 1. Нормальный рост Нормальный рост кристаллов льда на Байкале, обусловленный очень сильным ветром, который заставляет кристаллы льда крутится

Изображение слайда
5

Слайд 5

Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост Рост кварц-полевошпатовых сферолитов в процессе активного движения расплава. Сферолитовые гранит-порфиры. Дайка. 153х142 мм. Северный Казахстан деталь

Изображение слайда
6

Слайд 6

Механизмы роста кристаллов 1. Нормальный рост Овоиды K-Na полевого шпата в гранитах-рапакиви (выборгитах) Форма фронта роста кристаллов округлая, что прямо говорит о нормальном механизме роста

Изображение слайда
7

Слайд 7

Механизмы роста кристаллов 1. Нормальный рост О кристаллизации при движении – вращении в расплаве свидетельствует текстура гранитов-рапакиви ( выборгитов), «обтекание» овоидов K-Na полевого шпата пластинами K-Na полевого шпата

Изображение слайда
8

Слайд 8

Механизмы роста кристаллов 1. Нормальный рост О кристаллизации при движении – вращении в расплаве свидетельствует текстура гранитов-рапакиви, «обтекание» овоидов K-Na полевого шпата пластинами K-Na полевого шпата

Изображение слайда
9

Слайд 9

Механизмы роста кристаллов 1. Нормальный рост Вкрапленник кварца в гранитах-рапакиви (выборгитах)

Изображение слайда
10

Слайд 10: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Хромшпинелиды нодулярные в оливиновой матрице

Златоуст, Урал 46х42 мм 52х46 мм 73х55 мм

Изображение слайда
11

Слайд 11: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Хромшпинелиды нодулярные в оливиновой матрице

70х57 мм. Хабарнинский, Южный Урал

Изображение слайда
12

Слайд 12: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Хромшпинелиды нодулярные

88х69 мм. Кемпирсай Кипр. Troodos 140 мм. Шорджинское, Севанский пояс, Армения Оман 60 мм Внутри нодулей - оливин

Изображение слайда
13

Слайд 13: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин – овоиды -вкрапленники в оливин-хромшпинелидной матрице

59х34 мм 42х30 мм Хабарнинский, Южный Урал

Изображение слайда
14

Слайд 14: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин-хромшпинелидные орбикулы

ММ-55142. 96х78 мм. Радуша, Скопье, Македония 112х61 мм. Радуша, Скопье, Македония 70 мм. Кипр

Изображение слайда
15

Слайд 15: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин-хромшпинелидные орбикулы

ММ-55142. Радуша, Скопье, Македония 87х80 мм 100х95 мм

Изображение слайда
16

Слайд 16: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост. Оливин-хромшпинелидные орбикулы

Итак, наличие нодулярных и орбикулярных текстур в хромитовых рудах – свидетельство магматического происхождения таких руд

Изображение слайда
17

Слайд 17: Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост

Хондра оливиновая 4 мм. NWA 778. Алжир Внешняя часть этой хондры возникла по механизму нормального роста Итак, ранняя стадия образования хондритов – магматическая

Изображение слайда
18

Слайд 18

Механизмы роста кристаллов. 1. Нормальный рост При малой скорости роста, когда у частиц есть время на выбор мест с max энергией связи, происходит постепенная ликвидация таких мест прикрепления и поверхность из гладкокривой превращается сначала в микроступенчатую, затем - в макроступенчатую и наконец замещается плоскими сингулярными гранями с высокой ретикулярной плотностью и рациональными индексами. 2. Послойный рост при двумерном зародышеобразовании Вы уже знаете, что энергии адсорбции собственных частиц на плоской кристаллической поверхности сильно различаются. В состоянии насыщения при определенных температуре и концентрации вещества в среде количество ионов (молекул), присоединяющихся к поверхности за единицу времени = поток на грань или скорость адсорбции и количество ионов (молекул), отрывающихся = поток от грани или скорость десорбции примерно равны. Поскольку вблизи от вершин и ребер энергия адсорбции выше, чем на гладкой поверхности грани, в этих местах частицы будут находится дольше, плотность их там выше. Сохраняя температуру,

Изображение слайда
19

Слайд 19

Механизмы роста кристаллов. 2. Послойный рост при двумерном зародышеобразовании создадим и будем увеличивать пересыщение. При постоянной Т сохраня-ется скорость десорбции. Рост концентрации усилит поток частиц на грань, будет возрастать количество адсорбированных частиц, но роста, т.е. "навечной" фиксации частиц на грани не будет. Для устойчивого уве-личения размера островков - зародышей слоя необходимо, чтобы такой двумерный зародыш достиг критического размера (подобно трёхмерному зародышу кристалла), которому отвечает определенная кривизна торца слоя - ступени. Естественно, что зарождение слоя более вероятно в местах наибольшего скопления частиц, т.е. вблизи вершин и ребер кристалла. Далее слой будет распространяться по грани, причем на изломах его торца - ступени частицы будут адсорбироваться наиболее прочно, следовательно надолго. Когда слой перекроет всю грань, ступень исчезнет и потребуется некоторое время, пока сочетание тепловых и концентраци-онных флуктуаций не породит новый закритический двумерный зародыш, который обеспечит возможность перекрытия грани новым слоем. Сущест-вование двумерных зародышей и рост грани моноатомными слоями веще-ства было экспериментально доказано советским исследователем

Изображение слайда
20

Слайд 20

Механизмы роста кристаллов. 2. Послойный рост при двумерном зародышеобразовании Каишевым в 1966 г. при изучении бездислокационных граней кристаллов серебра. Данная теория удовлетворительно объясняет возникновение граней = плоских поверхностей с высокой плотностью частиц на них и прямолинейных рёбер. Однако, есть противоречия между теорией и реальностью. При толщине нарастающего слоя = размеру атомов или молекул грань должна выглядеть идеально гладкой, ступени на ней - субмикроскопические. На самом деле, на гранях часто развит грубый рельеф и весьма часто разви-ты бугорки роста – вицинали. Далее, заметные скорости роста по механи-зму послойного роста при двумерном зародышеобразовании возможны только при пересыщении >25-50%, тогда как реальные кристаллы растут и при пересыщении 0,n %. И еще - скорости роста реальных кристаллов гораздо выше теоретических скоростей роста идеальных кристаллов, согласно рассмотренной модели. Все эти противоречия были разрешены теорией дислокационного механизма роста кристаллов.

Изображение слайда
21

Слайд 21

Механизмы роста кристаллов. 3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов В начале 30х годов ХХ века Тейлор, Орован и Полани объяснили тот факт, что прочность реальных кристаллов на несколько порядков ниже теоретической прочности тем, что в реальных кристаллах присутствуют дефекты линейного типа = дислокации. В 1939 г. Бюргерс ввел понятие о винтовых дислокациях. В 1949 г. Франк использовал представление о винтовых дислокациях для объяснения процессов роста кристаллов; наличие у выхода винтовой дислокации на грань не зарастающей ступени обеспечивает возможность роста кристалла без двумерного зародышеоб-разования. Бартон, Кабрера и Франк в 1951 г. доказали дислокационный механизм роста, что создало совершенно новый облик кристаллогении (иначе кристаллологии) - науки о росте и растворении кристаллов. Удалось объяснить высокие скорости роста и растворения граней и их рельеф, многие морфологические особенности в объёме кристаллов, их дефектность, физические свойства и многое другое.

Изображение слайда
22

Слайд 22

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов На выходе винтовой дислокации на грань кристалла прямолиней-ная ступень превращается в спиральную, далее возникает конусообразное возвышение, образованное одной ступенью спиральной формы, затем - спиральные холмы. Такие спирали развиты на кристаллах самых различ-ных минералов, выросших в магматических, гидротермальных, гиперген-ных... обстановках. Форма площадок спиралей роста при больших пересы-щениях (при быстрой скорости роста) близка к круговой, при малых

Изображение слайда
23

Слайд 23

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов пересыщениях (при меньшей скорости роста) – полигональная. Морфоло-гия нарастаний определяется симметрией соответствующей грани криста-лла. Расстояние между витками спиралей зависит и от угла выхода дисло-кации на грань кристалла. При увеличении пересыщения угол конуса роста становится более крутым; высота ступеней в таких спиралях большая. При расстояниях между торцами (витками) спирали < длины света поверхности выглядят гладкими, а при постоянстве этих расстояний - плоскими. Слияние двух терасс роста с разно направленными винтовыми дислокациями. Металлич. цинк

Изображение слайда
24

Слайд 24

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов Такие нарастания - псевдограни = вицинали в течении десятилетий были предметом острых дискуссий. На грани кристалла выходит множество дислокаций от 10 до10000 на см2, но они существенно различаются по способности генерировать ступени роста. Существует зависимость активности определенного центра роста, отвечающего выходу на грань дислокации, от пересыщения. При относительно стабильных условиях на поверхности грани остается лишь несколько конусов роста (вициналей) или даже один, идет конкуренция - борьба за “питание” и за ”пространство” между различными дислокациями и порожденными ими вицинальными холмиками - конусами роста. При любом изменении пересыщения на поверхности активизируют-ся сразу множество мелких центров роста, из которых при постепенной стабилизации условий сохраняются несколько новых, ранее не "работав-ших" конусов. Особенности развития конусов роста на поверхности грани определяются взаимным расположением соседних дислокаций и направ-лением их векторов Бюргерса. При значительном удалении друг от друга выходов дислокаций спирали роста сначала развиваются независимо, затем могут слиться. Чем больше вектор Бюргерса, тем толще генериру-емый дислокацией слой роста, тем вероятнее перекрытие слоев роста

Изображение слайда
25

Слайд 25

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов других дислокаций и подавление их серии слоев. При одинаковом знаке векторов Бюргерса двух соседних дислокаций на расстоянии < d критического зародыша - эти дефекты объединяются; при разных знаках вектора Бюргерса - возникают замкнутые петли. Конкуренция вициналей на поверхности растущего кристалла соли Начало Через 10 минут Через 22 минуты Через 45 минут

Изображение слайда
26

Слайд 26

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов При относительно стабильных условиях на поверхности грани остается лишь несколько конусов роста (вициналей) или даже один, идет конкуренция - борьба за “питание” и за ”пространство” между различными дислокациями и порожденными ими вицинальными холмиками - конусами роста. При любом изменении пересыщения на поверхности активизируют-ся сразу множество мелких центров роста, из которых при постепенной стабилизации условий сохраняются несколько новых, ранее не "работав-ших" конусов. Особенности развития конусов роста на поверхности грани определяются взаимным расположением соседних дислокаций и направ-лением их векторов Бюргерса. При значительном удалении друг от друга выходов дислокаций спирали роста сначала развиваются независимо, затем могут слиться. Чем больше вектор Бюргерса, тем толще генерируе-мый дислокацией слой роста, тем вероятнее перекрытие слоев роста других дислокаций и подавление их серии слоев. При одинаковом знаке векторов Бюргерса двух соседних дислокаций на расстоянии < d критического зародыша - эти дефекты объединяются; при разных знаках вектора Бюргерса - возникают замкнутые петли.

Изображение слайда
27

Слайд 27

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов Спиральный (геликоидальный) рост - это фактически рост на винтовой дислокации. Это однозначно доказано для нитевидных кристал-лов, это механизм роста нитевидных кристаллов как искусственных, так и природных. В частности, для нитевидных кристаллов минералов со "слабой" структурой установлено периодическое осевое закручивание решетки, вызванное действием осевой винтовой дислокации. Это прекрасно выражено на кристаллах гипса, миллерита, джемсонита, малахита и др. Когда толщина волокон = нитевидных кристаллов предельно малая, то закручивается и решетка разновидности кварца – халцедона. 10 мм Donnerkuhle, Sauerland, Германия Миллерит 11 мм

Изображение слайда
28

Слайд 28

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов Халцедон скрученный и не скрученный. Агаты Голутвино, южное Подмосковье. Шлифы, николи х Наличие спирально закрученных волокон халцедона... в слагаемых этими минералами сферолитах и сферолитовых корках - однозначный признак того, что данные сферолиты - продукты кристаллизации, а не колломорфные образования.

Изображение слайда
29

Слайд 29

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов Скрученные локоны малахита. Schwaz-Brixlegg, Тироль, Австрия 3 мм 16 мм 14 мм 1 мм

Изображение слайда
30

Слайд 30

3. Послойный рост при дислокационном механизме роста кристаллов Наличие скульптуры спиралей на поверхности граней кристалла - однозначное свидетельство, что это поверхности роста. 4. Рост за счёт трёхмерных зародышей Несмотря на обширную минералогическую литературу, описываю-щую этот механизм роста, экспериментальные данные, прямо свидетель-ствующие о значимости данного механизма роста макрокристаллов, не получены. Возникновение трехмерных зародышей бесспорно, когда появляются мелкие новые так называемые "паразитические" кристаллы. При этом, кроме появления случайных сростков в двойниковом положении у растущих макрокристаллов каких-либо иных особенностей не возникает. При очень больших интенсивностях зародышеобразования, например при добавлении спирта в водный раствор соли, кристалл покрывается коркой неориентированных кристалликов и рост макрокристалла под слоем конкурентов вскоре прекращается. Таким образом, происходит рост не "за счёт", а при некотором кратковременном "участии" трёхмерных зародышей.

Изображение слайда
31

Слайд 31

Связь формы кристаллов с их структурой В целом, данная проблема сложная и слабо разработана. Связь структуры с габитусом, как и связь структуры с конкретными простыми формами неоднозначна. Хотя кристаллы кубической сингонии (гранаты..) чаще всего имеют изометричный облик. Более или менее изометричные структуры приводят к образованию квазиизометричных кристаллов (полевые шпаты). Минералы со слоистой структурой обычно образуют уплощенные кристаллы (графит, тальк, слюды, хлориты). Но те же слюды и хлориты часто образуют столбчатые, пирамидальные и даже игольчатые кристаллы, вытянутые ┴ к плоскости слоистости. Цепочечные и ленточные структуры в общем способствуют появлению удлиненных столбчатых и игольчатых кристаллов (пироксены, амфиболы). В целом, та или иная форма кристалла позволяет предполагать ту или иную степень изометрич-ности структуры, но не более. Мощное влияние среды кристаллизации может изометричную структуру заставить дать игольчатый кристалл, а анизометричную - изометричный кристалл. Принцип Бравэ, высказанный в 1851 г., - скорости роста различных граней кристалла зависят от их ретикулярной плотности, кристаллы при своем росте покрываются самими медленно растущими гранями (это справедливо) – продолжение принцип Бравэ – кристаллы покрываются

Изображение слайда
32

Слайд 32

Связь формы кристаллов с их структурой гранями с максимальной ретикулярной плотностью (а вот это далеко не всегда). Экспериментально показано, что принцип Бравэ подтверждается для кристаллов, выращенных из чистого однокомпонентного газа. Для кристаллов, выросших в более сложных системах, данный принцип выдерживается плохо. Настоящий парадокс - огранка кристаллов кварца: наибольшая ретикулярная плотность в его структуре у плоскости (0001), но грани базопинакоида отсутствуют на кристаллах кварца. Принцип Доннея - Харкера, высказанный в 1937 г., - габитусная ранжировка граней зависит не только от их ретикулярной плотности, но и от элементов симметрии ┴ к их плоскостям. Данный метод позволил по специальным таблицам и по интенсивностям отражений на рентгенограм-мах кристаллов определять морфологическую значимость граней. Удалось получить относительно близкую к действительности последовате-льность появления простых форм у кристаллов кварца, серы... Следующий этап развития этих представлений - теория Хартмана, высказанная в 1955 г., - ближе других подошла к связи формообразования с процессами адсорбции. Согласно этой теории грани кристалла делятся в зависимости от их расположения по отношению к векторам наиболее сильных связей в структуре (АВС- векторы). Грани, в которых лежит два вектора наиболее сильных связей - гладкие грани F (flat); грани, в которых

Изображение слайда
33

Слайд 33

Связь формы кристаллов с их структурой лежит один вектор - ступенчатые грани S (stepped); грани не параллель-ные ни одному из векторов - это неровные шероховатые грани K (kinked). Присоединение частиц из среды питания происходит прежде всего к шероховатым К граням (они быстро растут и исчезают); затем к S граням. Медленнее всего растут F грани, которыми и покрывается кристалл. Так, у кварца грань (0001) - шероховатая, она быстро сорбирует частицы и зарастает; грани призмы отвечают F граням, растут медленно и характерны для кристаллов кварца. Трудность применения теории Хартмана в отсутствии чётких критериев для выделения векторов АВС. Кроме того, введение поверхностно-активных веществ-примесей может превратить атомно-гладкую поверхность в шероховатую и наоборот... Есть и иные теоретические подходы... Но, ни одна из известных теорий не дает и не может дать точного метода расчёта структурных характеристик кристалла, строго отвечающих последовательности встречаемости граней в природных условиях.

Изображение слайда
34

Слайд 34

Варианты роста кристаллов Варианты роста кристаллов по степени свободы их формирования - отсутствии препятствий для поступления питания к их поверхности и для увеличения их размера. Варианты или группы таких условий роста : 1) рост кристаллов, взвешенных в магме или ином растворе, в т. ч. в газовом (снежинки); 2) рост кристаллов, зарождающихся на стенке жилы или на иной подложке или плавающих на поверхности рассола; 3) рост кристал-лов в пористой твёрдой среде в присутствии раствора - метасоматический рост, перекристаллизация с укрупнением зерна; или без участия растворов - рекристаллизация при снятии напряжения в кристаллах. Первая группа - это случаи всестороннего беспрепятственного поступ-ления питания ко всей поверхности кристалла - можно говорить о вполне свободном или просто о свободном росте кристаллов. Эти условия способствуют развитию плоских граней, одинаковому развитию всех граней одной кристаллографической формы, так что форма кристаллов в наибольшей степени приближается к идеальной. Секториальность и зональность в таких кристаллах, как и иные проявления дефектности, в максимальной степени симметричны. В свободно растущих кристаллах, способных вращаться в среде питания, отсутствуют проявления асимметрии верх - низ гравитационного поля. Кристаллы свободного роста выделяются совершенством формы и качеством граней.

Изображение слайда
35

Слайд 35

Варианты роста кристаллов Кристаллы свободного роста. Барит 38 мм. El Creek, Дакота, США Buk - Clifs, Grand - Jakchen, Mesa, Колорадо, США

Изображение слайда
36

Слайд 36

Варианты роста кристаллов Кристаллы свободного роста Пирит 2 мм Bellerberg, Эйфель, Германия Гематит Кальцит. Eglemont, Корнуолл, Англия 6 мм Сфалерит

Изображение слайда
37

Слайд 37

Варианты роста кристаллов Кристаллы свободного роста 68 мм Азурит на корке смитсонита. Цумеб Кристаллы аметиста Rio Grande do Sul, Бразилия

Изображение слайда
38

Слайд 38

Варианты роста кристаллов Кристаллы свободного роста 75 мм Реальгар. Южный Китай Церуссит. Kombat mine, Намибия Родохрозит на тетраэдрите

Изображение слайда
39

Слайд 39

Варианты роста кристаллов Кристаллы свободного роста в продушинах лунных морских базальтов Кристаллы железа Кристалл безводного хлор-фторапатита

Изображение слайда
40

Слайд 40

Варианты роста кристаллов С момента появления постоянного контакта кристалла с иными - при оседании индивидов на дно или при всплывании, при их агрегации условия вполне свободного роста исчезают. Включаются новые факторы, присущие ограниченно свободному росту. Поэтому обычно свободный рост, если он имел место, реализуется лишь на начальных стадиях формирования кристалла. Вторая группа. При соприкосновении кристаллов друг с другом они срастаются, конкурируя в борьбе за питание, свобода поступления веще-ства к ним ограничивается. Рост становится полусвободным или ограни-ченно свободным. Сюда входят и случаи одностороннего поступления вещества к поверхности кристалла, в частности питание и рост одной грани. Такие условия обычны при росте кристаллов на границе раздела жидкость - газ, твёрдое - газ, твёрдое - жидкость. В этих условиях обычно наличие твёрдых препятствий росту кристалла. Если не растущая часть кристалла охвачена твёрдыми поверхностями - в корневой части друз, в кристаллических корках, то эта часть нередко деформируется под дейст-вием кристаллизационного давления или при тектонических деформациях субстрата. При этом деформации корневой части кристалла могут переда-ваться в свободно растущую головку кристалла. Симметрия кристаллов, растущих в таких условиях, пониженная: хорошо ограненной головке

Изображение слайда
41

Слайд 41

Варианты роста кристаллов противостоит клиновидная корневая часть; выпуклая нижняя часть "лодочек" галита и вогнутая ступенчатая верхняя, обращенная в воздух. Односторонний рост кристалла - однозначный признак такого роста. Для генетических построений важно установить агрегатное состояние среды кристаллизации. Если среда подвижная, то гравитационное поле проявляется в оседании твёрдых частиц - присыпок на верхние грани кристаллов. Это ведёт к повышению дефектности обращенных к верху частей кристаллов по сравнению с нижними. Итак, наличие присыпок и ассиметричное распределение дефектности в кристаллах по признаку верх - низ - однозначное свидетельство, что данные прикреплённые кристаллы выросли в подвижной среде питания. Третья группа - метасоматический рост... будет рассмотрена позже. Какие свойства наиболее приемлемы для выявления периодов стабильных условий в развитии кристаллов? Постоянство соотношений роста разных граней, что проявлено прямолинейностью границ секторов роста. Постоянство химического состава кристалла внутри сектора роста, отсутствие зональности.

Изображение слайда
42

Слайд 42

Эволюция форм кристаллов минералов В меняющихся условиях форма кристаллов обычно эволюциони- рует. Главный фактор - изменение химизма среды, степень пересыщения, Пр-исутствие поверхностно-активных веществ. В системе флюорит – галит – вода при уменьшении пересыщения октаэдры флюорита сменяются кубами; в системе флюорит - LiCl - вода при уменьшении пересыщения кубы флюорита сменяются его октаэдрами. В природных зональных кристаллах флюорита в большинстве случаев наблюдается смена октаэдров кубами, что согласуется с результатами по синтетической системе с NaCl, - большинство природных процессов идут на фоне снижения пересыщения. В целом, единой универсальной эволюции морфологии кристаллов как функции температуры, давления, пересыще- ния... не существует; т. к. прежде всего необходим учёт химизма среды. Важна в ряде случаев и форма кристалла-затравки, особенно если ее размер достаточно велик. Габитус и комбинация форм кристалла на данном этапе роста в значительной степени определяются габитусом и комбинацией форм, которые кристалл получил в ходе своего предшест- вующего развития. Чем крупнее уже выросший кристалл, тем труднее он приспосабливается к новым изменившимся условиям роста. Многие наблюдаемые формы кристаллов минералов есть результат перехода от одной огранки к другой при изменении условий роста.

Изображение слайда
43

Слайд 43

Эволюция форм кристаллов минералов Тем не менее, в природных условиях существуют некие более или менее общие тренды изменения габитусных форм кристаллов определенных минералов в различных их месторождениях. Для апатита характерен тренд от игольчатых кристаллов в высокотемпературных габбро, к длиннопризматическим в кварцевых диоритах, призматическим в гранитах и скарнах, уплощенным по оси с до пластинчатых в кварцевых жилах. Для кальцита характерен тренд от пластинчатых (папиршпат) относительно высоко температурных к ромбоэдрическим, далее к призматическим и скаленоэдрическим. Для флюорита обычна эволю-ция форм от октаэдра (111) к кубу (100), далее к ромбододекаэдру (110) и более редким формам. Для барита ранее других развивается комбинация пинакоида (001) и призм (101); затем призма (210), она заменяется призмой (203); затем появляется призма (102), которая сменяется более острой призмой (103) и далее наиболее острой призмой (104). Но ! Для многих минералов (диаспор, фенакит, турмалин, виллемит, алмаз...) характерен тренд от примерно изометричных форм кристаллов к уплощенным или вытянутым и далее к длиннопризматическим и палочковидным, по существу близким к скелетным. Причина - понижение Т кристаллизации, рост степени пересыщения, а главное - диффузное голодание.

Изображение слайда
44

Слайд 44

Эволюция форм кристаллов минералов При смене форм на поверхности кристаллов развиваются ростовые штриховки, которые являются микрогранями новой формы. Они весьма характерны для кристаллов пирита: штриховка на гранях куба обычно отвечает микрограням пентагондодэкаэдра (пиритоэдра); штриховка на гранях пиритоэдра обычно отвечает микрограням куба, реже октаэдра... Принцип Кюри Знаменитый французский физик Пьер Кюри сформулировал в 1894 г.: объект сохраняет лишь те элементы симметрии, которые совпада-ют с элементами симметрии окружающей (питающей) среды. В случае равномерного питания со всех сторон - симметрия среды = симметрии шара, кристалл сохраняет все присущие этому минералу элементы сим-метрии. Кристалл вырастает в виде правильного многогранника, соответ-ствующего истинным простым формам. Если кристалл растет на горизон-тальной поверхности в спокойных условиях, то вокруг него создаются расположенные вертикально концентрационные потоки. В этом случае среда имеет симметрию конуса. Такие кристаллы сохраняют только одну ось симметрии n порядка и соответствующее число плоскостей симмет-рии, если эти элементы симметрии кристалла совпадут с таковыми среды. При случайной ориентировке зародыша на горизонтальной поверхности вырастает кристалл вообще без элементов симметрии. При росте кристал

Изображение слайда
45

Слайд 45

Эволюция форм кристаллов минералов лов в движущемся потоке, который имеет единственную плоскость сим-метрии, разрастание кристаллов идет навстречу потоку. Если плоскость симметрии кристалла - затравки совпадает с плоскостью симметрии пото-ка, то она сохраняется и в наросшей части кристалла. В случае несовпа-дения плоскостей симметрии выросший кристалл будет вообще лишен видимой симметрии. Влияние симметрии среды зависит от типа движения, от характера завихрений. Если скорость потока мала и вихри не отрыва-ются от растущего кристалла, задние грани слабо омываются и голодают, в них образуются включения. Если скорость движения очень велика, то вихри быстро сносятся с поверхности растущего кристалла, пересыщение в объёме вихря мало меняется, все грани растут равномерно. Время стационарного состояния вихрей прямо зависит от вязкости раствора и обратно пропорционально размеру кристалла и скорости потока. Во всех случаях, кроме изометрической среды питания, образующиеся кристаллы будут обладать ложными габитусными формами, т.е. искаженной внешней симметрией. По ассимерично выросшим кристаллам можно определять направление движения питающего потока. В крутопадающих жилах крис-таллы кварца обычно ассиметричны (действие силы тяжести), тогда как в пологих жилах облик кристаллов симметрич-ный. Итак, по форме кристал-лов кварца в россыпи можно прогнозировать характер залегания жил.

Изображение слайда
46

Слайд 46

Явления захвата включений Выросшие кристаллы практически всегда содержат то или иное количество включений маточной среды. В магматических породах это расплавные включения (стекловатые или раскристаллизованные), реже газовые и много фазные включения. В гидротермальных и гипергенных образованиях это газово-жидкие, жидкие, твёрдые и много фазные включения. На основе исследования включений в минералах руд и горных пород возникла особая наука – термобарогеохимия, поскольку изучение включений позволяет определить температуры и давления образования минералов и минеральных агрегатов и состав – химизм маточной среды. Для этого необходим поиск первичных = сингенетичных включений. Это включения, возникшие в процессе роста. Они часто приурочены к опреде-лённым секторам роста кристаллов, нередко они удлинены в направлении максимального вектора роста кристалла. Не редки случаи, когда расту-щий кристалл содержит посторонний кристалл, под которым пузырёк маточной среды; при дальнейшем росте кристалл толкает посторонний кристалл и под ним возникает трубчатое включение маточной среды. Это истинно, «железно» первичные - сингенетичние включения среды кристаллизации. Поэтому их следует специально искать. При длительном поддержании высоких температур и когда вещество стенок включений имеет достаточно большую растворимость, происходит огранение включений - возникают "отрицательные кристаллы".

Изображение слайда
47

Слайд 47

Явления захвата включений Первичные расплавные включения Включения вулканического стекла кремнекислого состава по зоне роста во вкрапленнике кварца. Риодациты мелового возраста. Запад Горного Крыма, Балаклава При 1 николе Николи х

Изображение слайда
48

Слайд 48

Явления захвата включений Первичные расплавные включения Включения вулканического стекла кремнекислого состава и расстеклованные включения во вкрапленнике кварца. Риодациты мелового возраста. Запад Горного Крыма, Балаклава При 1 николе Николи х Вулканическое стекло Расстеклованные включения

Изображение слайда
49

Слайд 49

Явления захвата включений Протогенетичные включения – включения идиоморфных кристаллов в более молодом кристалле Кристаллы тетраэдрита в гидротермальном жильном кварце

Изображение слайда
50

Слайд 50

Явления захвата включений Первичные = сингенетичные включения в виде «отрицательных» кристаллов Включения до 6 мм в кристалле кварца 40 мм. Goboboseb Mountains, Намибия Включение в горном хрустале в форме отрицательного кристалла кварца. Herkimer, Нью-Йорк, США

Изображение слайда
51

Слайд 51

Явления захвата включений Первичные = сингенетичные трубчатые включения в кристалле турмалина под посторонними включениями в кристалле аквамарина под включениями мусковита В кристалле аметиста под включением гётита

Изображение слайда
52

Слайд 52

Явления захвата включений Первичные = сингенетичные трубчатые включения Следы роста под включениями рутила в кристаллах сапфира. Камбоджа

Изображение слайда
53

Последний слайд презентации: Генетическая минералогия. Онтогения. Индивиды Рост кристаллов 00 5. Механизмы и

Изображение слайда