Презентация на тему: ЭВМ & МПС

ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
БАНК ОЗУ - 1 Мбайт
Временная диаграмма, иллюстрирующая работу памяти SDRAM
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
DDR4
ЭВМ & МПС
Мемристор – элемент нового типа памяти
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
ЭВМ & МПС
1/35
Средняя оценка: 4.4/5 (всего оценок: 23)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (4418 Кб)
1

Первый слайд презентации: ЭВМ & МПС

ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ ПЭВМ

Изображение слайда
2

Слайд 2

Изображение слайда
3

Слайд 3

Устройство ячейки динамической памяти.

Изображение слайда
4

Слайд 4

Изображение слайда
5

Слайд 5: БАНК ОЗУ - 1 Мбайт

Изображение слайда
6

Слайд 6: Временная диаграмма, иллюстрирующая работу памяти SDRAM

Изображение слайда
7

Слайд 7

Изображение слайда
8

Слайд 8

Изображение слайда
9

Слайд 9

Изображение слайда
10

Слайд 10

Изображение слайда
11

Слайд 11

Изображение слайда
12

Слайд 12

Изображение слайда
13

Слайд 13

Изображение слайда
14

Слайд 14

Изображение слайда
15

Слайд 15

Изображение слайда
16

Слайд 16

Изображение слайда
17

Слайд 17

Изображение слайда
18

Слайд 18

Изображение слайда
19

Слайд 19

Изображение слайда
20

Слайд 20

Изображение слайда
21

Слайд 21

Изображение слайда
22

Слайд 22

Изображение слайда
23

Слайд 23

Изображение слайда
24

Слайд 24

Изображение слайда
25

Слайд 25

Изображение слайда
26

Слайд 26

Изображение слайда
27

Слайд 27: DDR4

Hynix разработала пам’ять DDR4-2400 Samsung разработала модули памяти DDR4, которые на 40 % энергоэффективнее, чем DDR3 до 3200 миллионов транзакций в секунду, при напряжении 1,2 В. DDR4 может работать со скоростью от  12,8 до  25,6  Гбайт/с. Сейчас же скорость DDR3 составляет до  12,8  Гбайт/с, а  DDR2  — до  6,4  Гбайт/с. DDR4 Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц

Изображение слайда
28

Слайд 28

Доля DDR3 на рынке оперативной памяти в настоящий момент составляет от 85 до 90%, а к 2013 году вырастет до 94%. iSupply прогнозирует, что в 2014 году доля рынка DDR4 составит 12 %, в 2014 – 56 %.

Изображение слайда
29

Слайд 29: Мемристор – элемент нового типа памяти

Символ мемристора М емристор – это элемент, работающий в условиях переменного тока, электрическое сопротивление которого зависит от полярности прилагаемого напряжения. В зависимости от знака разности потенциалов мемристор может находиться в выключенном (менее проводящем) состоянии и во включенном (более проводящем). Самым главным качеством мемристора – именно мемристивностью – является зависимость сопротивления от заряда, пропущенного через элемент. Открытый совсем недавно «четвертый элемент», получивший название мемристор, вскоре может занять свое место в электронике. Так например, Panasonic планирует массово выпускать ReRAM уже в 2012 г.

Изображение слайда
30

Слайд 30

Р. Стэнли Уильямс у экспериментальной установки Memristor – найден четвертый базовый элемент электрической цепи

Изображение слайда
31

Слайд 31

Изображение слайда
32

Слайд 32

Изображение слайда
33

Слайд 33

Изображение слайда
34

Слайд 34

Изображение слайда
35

Последний слайд презентации: ЭВМ & МПС

Изображение слайда