Презентация на тему: Электро дырочный переход

Электро дырочный переход
Электро дырочный переход
Электро дырочный переход
Электро дырочный переход
Из чего делают полупрводник
Электро дырочный переход
Условное обазначение полупроводника
Электро дырочный переход
Принцып работы
Р- N
Электро дырочный переход
В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в область n-типа, а свободные электроны в область р-типа
Электро дырочный переход
Электро дырочный переход
Электро дырочный переход
1/15
Средняя оценка: 4.7/5 (всего оценок: 76)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (602 Кб)
1

Первый слайд презентации: Электро дырочный переход

Р -N ПЕРЕХОД Электро дырочный переход + + - - - + - - + + +

Изображение слайда
2

Слайд 2

p-n-перехо́д  или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух  полупроводников  с разными типами проводимости —  дырочной  ( p, от  англ.   positive  — положительная) и  электронной  ( n, от  англ.   negative  — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы  полупроводниковых приборов  с нелинейной  вольт-амперной характеристикой  ( диодов,  транзисторов  и других

Изображение слайда
3

Слайд 3

Изображение слайда
4

Слайд 4

Изображение слайда
5

Слайд 5: Из чего делают полупрводник

Полупроводники занимают промежуточное положение по проводимости электрического тока между диэлектриками и проводниками. Для создания полупроводниковых приборов в основном используют германий, кремний, арсенид галлия и селен. Из чего делают полупрводник

Изображение слайда
6

Слайд 6

Изображение слайда
7

Слайд 7: Условное обазначение полупроводника

Изображение слайда
8

Слайд 8

Изображение слайда
9

Слайд 9: Принцып работы

В проводниках носителями зарядов являются электроны. В полупроводниках кроме электронов еще есть, так называемые, дырки. Даже при комнатной температуре некоторые электроны приобретают энергию достаточную для отрыва от атома и пускаются в свободное плавание. Они так и называются - свободные электроны. Дырка  - это свободное место в атоме потерявшее электрон. Но на место дырки может перейти электрон из соседнего атома и уже он становится "дырявым". Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по кристаллу полупроводника. Принцып работы

Изображение слайда
10

Слайд 10: Р- N

Если при воздействии на кристалл электрического поля свободные электроны являются электронами проводимости и создают в полупроводнике ток, тогда он будет называться  полупроводник с электронной проводимостью, или проводимостью  n-типа. Электропроводность полупроводника, получаемая за счет направленного движения дырок, будет с дырочной проводимостью, или проводимостью  р-типа. Р- N

Изображение слайда
11

Слайд 11

Работа полупроводниковых приборов основывается на процессах, происходящих при соединении полупроводников разной проводимости. Для их изготовления вводят в чистый полупроводник примеси, которые делают его с электронной или дырочной проводимостью. Границу между обогащенными примесями областями кристалла р - и n - типа называют  p-n переходом.

Изображение слайда
12

Слайд 12: В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в область n-типа, а свободные электроны в область р-типа

Изображение слайда
13

Слайд 13

Если подать обратное напряжение  на катод (+) а на анод (-)  созданное источником напряжения, на контакты полупроводника,тогда внешнее поле  созданное источником напряжения, будет направлено в том же направлении как и поле p-n перехода  которое заставит электроны и дырки устремятся к контактам с противоположным потенциалом.

Изображение слайда
14

Слайд 14

Так вот с этого мы понимаем что полупроводники пропускают ТОК только в одном направлении. То есть от Р-типа к N -типу ( от АНОДА к КАТОДУ) Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы  полупроводниковых приборов  с нелинейной  вольт-амперной характеристикой  ( диодов,  транзисторов  и других

Изображение слайда
15

Последний слайд презентации: Электро дырочный переход

А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко.  Краткая теория p-n-перехода  / Рецензент: проф. Ф. И. Григорьев. — М.:  МИЭМ, 2002. В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е изд. — М.: « Высшая школа », 1991. — 622 с. https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n-%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D0%BE%D0%B4# Литература http://www.radio-samodel.ru/p-n%20perexod.html

Изображение слайда