Презентация на тему: Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа

Реклама. Продолжение ниже
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа
1/11
Средняя оценка: 4.5/5 (всего оценок: 12)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (549 Кб)
Реклама. Продолжение ниже
1

Первый слайд презентации

Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа №1273 2016 Мжельская Мария 10 «Д»

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
2

Слайд 2

Полупроводник –  вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит, что электрическая проводимость (1/R) увеличивается. Наблюдается у кремния, германия, селена и у некоторых соединений. Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями. Кремний

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/4
3

Слайд 3

Собственная проводимость полупроводника электронная (проводимость " n " – типа) дырочная (проводимость " p " – типа) Если полупроводник чистый(без примесей), то он обладает собственной проводимостью, которая невелика. Общая проводимость чистого полупроводника складывается из проводимостей " p " и " n " -типов и называется электронно-дырочной проводимостью.

Изображение слайда
1/1
4

Слайд 4

Проводимость « n »-типа При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны – сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности электрического поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов ( явл. носителями тока)

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
5

Слайд 5

Проводимость « p »-типа При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами образуются места с недостающим электроном – "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля. Кроме нагревания, разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением (фотопроводимость) и действием сильных электрических полей.  Поэтому полупроводники обладают ещё и дырочной проводимостью.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
6

Слайд 6

Электрические свойства " p-n " перехода " p-n " переход (или электронно-дырочный переход) – область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот). В кристалле полупроводника введением примесей можно создать такие области( донорной и акцепторной). В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия электронов и дырок, и образуется запирающий электрический слой. Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника. Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего слоя. (электроны- голубые, дырки серые) Взаимная диффузия электронов и дырок

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
7

Слайд 7

Пропускной режим р-n перехода: При прямом (пропускном) направлении внешнего электрического поля электрический ток проходит через границу двух полупроводников. Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/3
Реклама. Продолжение ниже
8

Слайд 8

Запирающий режим р-n перехода : При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет. Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/3
9

Слайд 9

Таким образом,  « р-n » переход можно использовать для выпрямления электрического тока. Полупроводник с одним " p-n " переходом называется полупроводниковым диодом. Полупроводниковые диоды - основные элементы выпрямителей переменного тока. Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния, селена и других веществ.

Изображение слайда
1/1
10

Слайд 10

Пример создания p-n перехода с использованием германия(обладает проводимостью n – типа) и донорной примеси. Этот переход не удается получить путем механического соединения двух полупроводников с различными типами проводимости, так как при этом получается слишком большой зазор между полупроводниками. Толщина же  р-n перехода должна быть не больше межатомных расстояний, поэтому в одну из поверхностей образца вплавляют индий.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
11

Последний слайд презентации: Электрический ток через контакт полупроводников p и n типов Школа

Для создания полупроводникового диода полупроводник с примесью  р -типа, содержащий атомы индия, нагревается до высокой температуры. Пары примеси  n -типа (например, мышьяка) осаждают на поверхность кристалла. Вследствие диффузии они внедряются в кристалл, и на поверхности кристалла с проводимостью  р -типа образуется область с электронным типом проводимости. Для предотвращения вредных воздействий воздуха и света кристалл германия помещают в герметичный металлический корпус. Полупроводниковые выпрямители обладают высокой надежностью и имеют большой срок службы. Однако они могут работать лишь в ограниченном интервале температур (от -70 до 125°С).

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/3
Реклама. Продолжение ниже