Презентация на тему: 1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Реклама. Продолжение ниже
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
1/41
Средняя оценка: 4.0/5 (всего оценок: 49)
Код скопирован в буфер обмена
Скачать (9965 Кб)
Реклама. Продолжение ниже
1

Первый слайд презентации

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристалла Барьер для электронов на поверхности. Работа выхода. Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение заряда, поля и и потенциала вблизи поверхности. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках 2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки) Энергетическая диаграмма Вольт-амперная характеристика 3. Электрон-дырочный (p-n) переход Энергетическая диаграмма Вольт-амперная характеристика Инжекция неосновных носителей заряда Емкость p-n перехода

Изображение слайда
1/1
2

Слайд 2

Рельеф («морфология») поверхности Шероховатая поверхность Среднеквадратичная шероховатость: Идеально гладкая сингулярная грань Вид сверху [10] [01] a 0 – постоянная решетки;  – угол отклонения от сингулярной грани; t g = a 0 /b, b – ширина террас q Вицинальная (отклоненная от сингулярной грани) поверхность

Изображение слайда
1/1
3

Слайд 3

T=575  C 2 часа T= 6 50  C 2 часа Изображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и после нагрева в равновесных условиях Исходная поверхность 3 мкм V.L. Alperovich, I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (200 9 ) Как приготовить поверхность с атомно-гладкими террасами, разделенными моноатомными ступенями? Нагреть до высокой температуры – позволить атомам диффундировать!

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/4
4

Слайд 4

Атомная структура поверхности GaAs(001) Структура GaAs(001) Вид сверху 1. Симметрия поверхности GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка, а на поверхности – только 2 порядка. 2. Соседние пары атомов на поверхности (001) взаимно насыщают «болтающиеся» орбитали и образуют димеры. 3. Образуются сложные реконструкции (m x n), где числа m и n – кратности увеличения периода поверхностной ячейки по отношению к объемной.

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
5

Слайд 5

Реконструированная поверхность GaAs(001) - ( 2 x 4 ) / c( 2 x 8 ) димер Нереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001) Атомная структура поверхности GaAs(001)

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
6

Слайд 6

Атомные реконструкции поверхности GaAs(001) : картины дифракции электронов (1x1) (2x4)/c(2x8) (4x2)/c(8x2) (3x6)/(2x6) (4x6) 420°С 480°С 550°С 58 0°С O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov, J.Vac.Sci.Tech. A17 (1999) As-rich Ga-rich Увеличение периода поверхностной кристаллической ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между дифракционными рефлексами)

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
Изображение для работы со слайдом
1/6
7

Слайд 7

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
Реклама. Продолжение ниже
8

Слайд 8

Профиль электронной плотности у поверхности металла

Изображение слайда
1/1
9

Слайд 9

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
10

Слайд 10

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
11

Слайд 11

Поверхностные электронные состояния

Изображение слайда
1/1
12

Слайд 12

Поверхностные состояния в полупроводниках

Изображение слайда
1/1
13

Слайд 13

Зонная диаграмма поверхности полупроводника

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
14

Слайд 14

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
Реклама. Продолжение ниже
15

Слайд 15

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
16

Слайд 16

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристалла Барьер для электронов на поверхности. Работа выхода. Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение заряда, поля и и потенциала вблизи поверхности. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках 2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки) Энергетическая диаграмма Вольт-амперная характеристика 3. Электрон-дырочный (p-n) переход Энергетическая диаграмма Вольт-амперная характеристика Инжекция неосновных носителей заряда Емкость p-n перехода

Изображение слайда
1/1
17

Слайд 17

Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки) металл полупроводник n -типа м в п/п металл вакуум полупроводник металл вакуум полупроводник n -типа

Изображение слайда
1/1
18

Слайд 18

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
19

Слайд 19

Электрон-дырочный (p-n) переход

Изображение слайда
1/1
20

Слайд 20

Прямое и обратное смещение на p-n переходе

Изображение слайда
1/1
21

Слайд 21

Изображение слайда
1/1
22

Слайд 22

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
23

Слайд 23

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
24

Слайд 24

Обратная ветвь идет по-другому: выпрямления нет!

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
25

Слайд 25

Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии (зона обеднения)

Изображение слайда
1/1
26

Слайд 26

Вольт-амперные характеристики туннельного диода

Изображение слайда
1/1
27

Слайд 27

Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода Обратное смещение Равновесие V=0 Вблизи максимума Прямое смещение Вблизи минимума Доминирует термоток

Изображение слайда
1/1
28

Слайд 28

Изображение слайда
1/1
29

Слайд 29

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
30

Слайд 30

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
31

Слайд 31

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
32

Слайд 32

Изображение слайда
1/1
33

Слайд 33

Изображение слайда
Изображение для работы со слайдом
1/2
34

Слайд 34

Экскурсия 2 декабря (четверг): 10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние света НОК НГУ

Изображение слайда
1/1
35

Слайд 35

Изображение слайда
1/1
36

Слайд 36

Изображение слайда
1/1
37

Слайд 37

Изображение слайда
1/1
38

Слайд 38

Изображение слайда
1/1
39

Слайд 39

Изображение слайда
1/1
40

Слайд 40

Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК) 15:00 Шкляев Александр Андреевич, вакуумный сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). НОЦ НГУ, к. 34

Изображение слайда
1/1
41

Последний слайд презентации: 1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Изображение слайда
1/1
Реклама. Продолжение ниже